Составители:
Рубрика:
11. Лавинно-пролетные диоды: принцип действия, особенности техноло-
гии получения, конструкции.
12. Свето- и фотодиоды. Особенности конструкции, физические принци-
пы функционирования .
13. СВЧ-транзисторы: конструкции, высокочастотные характеристики,
частота отсечки.
14. Устройство, принцип действия и выходные характеристики биполяр-
ных транзисторов.
15. Туннельные диоды: принцип действия, технология изготовления,
вольт-амперная характеристика.
16. Структуры металл-диэлекрик-
полупроводник и полевые транзисторы
на их основе.
17. Р-п переход на аморфном кремнии и его использование в устройствах
памяти, электрофотографии и трубках для передачи изображения.
18. Полевые транзисторы на аморфном кремнии. Конструкции, харак-
теристики и применение в жидкокристаллических дисплеях, логических уст-
ройствах и датчиках изображения.
19. Эффект междолинного перехода электронов на
примере арсенида
галлия и фосфида индия (Эффект Ганна).
20. Светодиоды на основе GaAs, GaAs
1-x
P
x
Al
x
Ga
1-x
As. Физические
основы их функционирования.
21. Лазеры на основе полупроводниковых материалов. Гетеролазеры на
соединениях типа А
Ш
В
У
и А
П
В
У1
.
22. Вентильный эффект в конденсаторных структурах с оксидным ди-
электриком. Физико-химические причины униполярности электропроводности.
СОДЕРЖАНИЕ
1. Цели и задачи изучения дисциплины. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
19
