Физические основы микроэлектроники. Адер А.И - 18 стр.

UptoLike

3 4,8
.
10
1
2,0
.
10
3
1
.
10
4
4 1,0
.
10
2
1,0
.
10
4
3
.
10
4
5 3,0
.
10
3
6,0
.
10
5
7
.
10
3
6 5,0
.
10
4
3,0
.
10
1
4
.
10
4
7 3,0
.
10
5
7,0
.
10
2
6
.
10
4
8 2,0
.
10
2
5,0
.
10
0
3
.
10
3
9 2,0
.
10
3
4,0
.
10
6
1
.
10
5
0 8,0
.
10
5
1,0
.
10
5
9
.
10
4
7. Темы рефератов
(для самостоятельной работы студентов по заданию преподавателя)
1. Применение кремния в микроэлектронной аппаратуре
2. Поверхностные явления в полупроводниках и их влияние на свойства
полупроводниковых приборов.
3. Сверхпроводящие материалы. Высокотемпературная сверхпроводи-
мость.
4. Диэлектрические свойства оксидных пленок, используемых в элемен-
тах РЭА (на примере пленок оксидов тантала и ниобия)
5. Электрические свойства и применение
полимерных пленок
6. Сегнетоэлектрические материалы, их свойства и применение.
7. Влияние химического состава материала, примесей, физических и ме-
ханических воздействий на его магнитные свойства.
8. Физико-химические свойства и применение ферритов.
9. Основные физико-химические факторы, влияющие на емкостные ха-
рактеристики диода Шоттки.
10. Основные физико-химические факторы, влияющие на вольт-
амперную характеристику
диода Шоттки.
18