Физические основы микроэлектроники. Адер А.И - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

Последняя
цифра шифра
Удельное сопротивление ρ, Ом
.
м
1 5,0
.
10
-1
1,0
.
10
0
1,0
.
10
-1
3,0
.
10
-1
1,0
.
10
-1
1,0
.
10
0
2 1,0
.
10
-1
3,0
.
10
-1
2,0
.
10
-2
7,0
.
10
-2
2,0
.
10
-2
5,0
.
10
-1
3 4,5
.
10
-2
1,5
.
10
-1
1,5
.
10
-2
4,0
.
10
-2
1,0
.
10
-2
2,5
.
10
-1
4 6,0
.
10
-3
2,0
.
10
-2
2,0
.
10
-3
4,0
.
10
-3
3,0
.
10
-3
2,0
.
10
-2
5 9,0
.
10
-4
3,0
.
10
-3
4,0
.
10
-4
6,0
.
10
-4
4,0
.
10
-5
6,0
.
10
-4
6 3,5
.
10
-4
1,0
.
10
-3
1,0
.
10
-4
2,0
.
10
-4
2,0
.
10
-5
3,0
.
10
-4
7 2,0
.
10
-4
6,0
.
10
-4
7,0
.
10
-5
1,0
.
10
-4
4,0
.
10
-6
8,0
.
10
-5
8 6,0
.
10
-5
1,0
.
10
-4
2,0
.
10
-5
3,0
.
10
-5
2,0
.
10
-6
4,0
.
10
-5
9 8,0
.
10
-6
2,0
.
10
-5
3,0
.
10
-6
5,0
.
10
-6
1,0
.
10
-6
2,0
.
10
-5
0 3,0
.
10
-6
1,0
.
10
-6
7,0
.
10
-7
1,0
.
10
-6
9,0
.
10
-7
4,0
.
10
-6
ЗАДАЧА 3
В полупроводниковом кристалле с собственной концентрацией носите-
лей заряда n
i
, подвижностью электронов µ
n
и подвижностью дырок µ
p
сформи-
рован p-n переход. При этом удельная электропроводность p-области составила
γ
1
, а удельная электропроводность n-области - γ
2
.
Определить:
• контактную разность потенциалов в p-n переходе при температуре
Т= 300 К;
• плотность обратного тока насыщения в сформированной диодной
структуре, если диффузионная длина электронов равна L
n
, а диффузи-
онная длина дырок - L
p
.
• отношение дырочной составляющей обратного тока насыщения к
электронной;
• значение прямого напряжения, при котором плотность тока через p-n
переход достигает значения j.
У к а за н и я
1. Исходные данные для конкретных вариантов задачи 4 приведены в
табл.5 и 6.
16

Страницы