Физические основы микроэлектроники. Адер А.И - 6 стр.

UptoLike

3.2. СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА
ТВЕРДЫХ ТЕЛ (80 часов)
Структура идеальных кристаллов. Типы химической связи в твердых
телах.
Элементы зонной теории твердых тел. Зонный характер энергетиче-
ского спектра электронов в кристалле. Строение энергетического спектра ме-
таллов, полупроводников и диэлектриков в свете зонной теории. Примесные
уровни.
Дефекты реальных кристаллов. Нестехиометрия и структурные де-
фекты. Влияние дефектов на электронное строение и свойства твердого тела.
Примесные уровни. Собственные и примесные полупроводники. Типы леги-
рующих примесей. Собственная и примесная проводимость. Явления генера-
ции и рекомбинации носителей заряда. Скорость рекомбинации. Излучательная
и безизлучательная рекомбинация. Уравнение непрерывности для полупровод-
ников.
Поверхностные электронные состояния твердого тела. Поверхност-
ные явления. Приповерхностный
слой объемного заряда в полупроводниках.
Некристаллические (аморфные и стеклообразные) материалы. Ближ-
ний и дальний порядок в атомном строении. Особенности энергетического
спектра электронов в некристаллических твердых телах.
Методы анализа фазового и элементного состава твердого тела. Ос-
новы анализа тонких пленок и поверхности твердого тела. Дифракционные,
микроскопические и спектроскопические методы физико-химического
анализа.
Электронная проводимость твердого тела, обусловленная свободны-
ми носителями заряда. Подвижность носителей заряда. Температурная зависи-
мость проводимости металлов, полупроводников и диэлектриков. Механизмы
рассеяния электронов в твердых телах. Прыжковая электропроводность в при-
месных полупроводниках и некристаллических твердых телах.
6