Физические основы микроэлектроники. Адер А.И - 8 стр.

UptoLike

Конденсаторные структуры на основе диэлектрических и сегнетоэлектрических
пленок.Эффект Джозефсона и приборы на его основе.
3.4. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОБЕСПЕЧЕНИЯ КАЧЕСТВА И
НАДЕЖНОСТИ РЭС (12 часов)
Термодинамический и кинетический подходы к анализу процессов разрушения
твердого тела и микроэлектронных структур. Основные факторы, приводящие к разруше-
нию: механические напряжения, электрическое поле, радиационные воздействия. Электро-
химическая коррозия.
Кинетика механического и электрического разрушения. Влияние структурных
дефектов на стабильность выходных параметров РЭС.
Физико-химические методы диагностики
и неразрушающего контроля ка-
чества микроэлектронных структур.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ( 4 часа)
Роль различных деградационных процессов и возможности повыше-
ния надежности РЭС. Физическое моделирование отказов и прогнозирование
надежности РЭС.
Тематический план лекций
для студентов очно-заочной формы обучения (32 часа)
1.Основы квантовой механики и квантовой статистики 4 часа
2. Структура идеальных кристаллов и некристаллических
(аморфных и стеклообразных) материалов. Зонный ха-
рактер энергетического спектра электронов в кристалли-
ческих и некристаллических твердых телах
4 часа
3. Структура и свойства реальных кристаллов. Основные
типы структурных дефектов и их влияние на свойства
твердых тел. Собственные и примесные полупроводники.
4 часа
4. Электронная проводимость твердых тел. Влияние
внешних факторов на электронную проводимость мате-
риалов различного типа.Эффекты сильного поля.
4 часа
5. Электрические свойства проводниковых материалов.
Эффект сверхпроводимости .Физические процессы в ди-
электриках и сегнетоэлектриках, свойства этих материа-
4 часа
8