ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
97
Рис
. 6.15.
Приведенная
схема
включения
транзистора
с
ОЭ
по
Тевенину
относительно
общего
провода
.
В
пренебрежении
величиной
U
бэ.о
= 0,5...0,7
В
.
выражение
(6.10.31)
можно
записать
в
виде
:
ббрбээ
RIURI −=
.
. (6.10.32)
Полагаем
,
что
окбEбEбокбEбEбкэ
IhIhIIhIhIII
.2121.2121
)1()1()1( +++=+++=+=
. (6.10.33)
Подставляя
выражение
(6.10.33)
в
(6.10.32),
получим
:
ббрбэокбEээбE
RIURIhRIh −=+++
..2121
)1()1(
. (6.10.34)
Уравнение
(6.10.34)
можно
записать
в
виде
:
[
]
эEббэокбEрб
RhRIRIhU )1()1(
21.21.
++=+−
. (6.10.35)
Из
уравнения
(6.10.35)
следует
,
что
величина
тока
базы
I
б
(
T
0
)
рассчитывается
из
выражения
:
[
]
[ ]
)(1
)()(1
)(
021
0.021.
0
ThRR
RTIThU
TI
Eэб
эокбEрб
б
++
+
−
=
. (6.10.36)
По
аналогичной
формуле
рассчитывается
величина
тока
базы
при
температуре
Т
1
>
Т
0
.
Расчеты
показывают
,
что
величина
приращения
тока
базы
с
ростом
температуры
имеет
отрицательный
знак
,
т
.
е
.
∆
I
б
<
0.
Это
является
свидетельством
наличия
ООС
по
постоянному
току
,
поскольку
ток
базы
с
ростом
температуры
уменьшается
.
Подставляя
полученные
значения
∆
I
б
,
∆
I
кб.о
и
∆
h
21E
в
формулу
(6.10.25),
получим
полное
приращение
тока
коллектора
∆
I
к
с
изменением
температуры
эксплуатации
устройства
.
Если
полученное
значение
∆
I
к
<
М
к.доп
[
см
.
формулу
(6.10.22)],
то
рассчитанная
схема
является
термостабильной
.
При
обратном
соотношении
термостабилизация
не
осуществляется
.
В
этом
случае
требуется
увеличение
сопротивления
R
э
в
цепи
эмиттера
,
или
выбор
другого
транзистора
с
меньшим
значением
теплового
тока
∆
I
кб.о
.
Низкочастотные
дифференциальные
параметры
транзистора
могут
быть
определены
по
семействам
статических
характеристик
.
Наиболее
часто
для
этих
целей
используют
семейства
входных
и
выходных
характеристик
.
При
этом
амплитудные
значения
напряжений
и
токов
заменяются
их
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 96
- 97
- 98
- 99
- 100
- …
- следующая ›
- последняя »
