ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
98
Рис
. 6. 16.
Иллюстрация
действий
при
определении
параметров
h
11э
и
h
12э
линейными
приращениями
.
В
результате
такой
замены
уравнения
четырехполюсника
приобретают
вид
:
выхвхвх
UhIhU ∆+∆=∆
1211
;
выхвхвых
UhIhI ∆+∆=∆
2212
, (6.10.37)
где
∆
U
вх
,
∆
U
вых
-
изменения
входного
и
выходного
напряжения
на
транзисторе
;
∆
I
вх
,
∆
I
вых
-
соответствующие
изменения
входного
и
выходного
тока
.
Если
транзистор
включен
с
ОЭ
,
то
∆
U
вх
=
∆
U
бэ
,
∆
I
вх
=
∆
I
б
;
∆
U
вых
=
∆
U
кэ
;
∆
I
вых
=
∆
I
к
.
Определение
необходимых
приращений
в
точке
А
(
рис
. 6.17)
показано
на
входных
характеристиках
транзистора
КТЗ
15
А
.
Расчетные
формулы
для
параметров
h
11
э
и
h
12
э
,
Ом
,
в
этом
случае
:
250
2,08,0
66,081,0
)()(
)()(
|
11
≈
−
−
=
−
−
=
∆
∆
=
=
BI
С
I
BUCU
I
U
h
бб
бэбэ
constU
б
бэ
э
кэ
; (6.10.38)
015,0
010
63,078,0
)()(
|
12
≈
−
−
=
′
−
′′
−
=
∆
∆
=
=
кэкэ
бэбэ
constI
кэ
бэ
э
UU
AUDU
I
U
h
э
. (6.10.39)
Следует
помнить
,
что
приращения
∆
U
бэ
,
входящие
в
формулы
(6.10.38)
и
(6.10.39),
в
общем
случае
различны
.
Параметры
h
21
э
и
h
22
э
определяют
по
выходным
характеристикам
.
При
включении
транзистора
с
ОЭ
приращения
напряжений
и
токов
следует
выбирать
относительно
точки
А
так
,
как
показано
на
рис
. 6.17.
Параметры
h
21
э
и
h
22
э
схемы
с
ОЭ
,
мСм
,
определяются
по
формулам
:
110
2,03,0
1627
)()(
|
21
≈
−
−
=
′
−
′′
−
=
∆
∆
=
=
бб
кк
constU
б
к
э
II
CIBI
I
I
h
кэ
; (6.10.40)
37,0
120
1825
)()(
)()(
|
22
≈
−
−
=
−
−
=
∆
∆
=
=
DUEU
DIEI
U
I
h
кэкэ
кк
constI
кэ
к
э
к
. (6.10.41)
Приращения
∆
I
к
,
входящие
в
эти
формулы
,
различны
,
так
как
определяются
при
различных
условиях
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 97
- 98
- 99
- 100
- 101
- …
- следующая ›
- последняя »
