Устройства приема и обработки сигналов. Афанасьев Г.Ф - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И
Транзисторы кремниевые эпитаксиально – планарные n – p – n усилительные
высокочастотные маломощные.
Электрические параметры
• Граничное напряжение при I
э
=5мА не менее:
КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж 15В
КТ315В, КТ315Д, КТ315И 30В
КТ315Г, КТ315Е 25В
• Напряжение насыщения коллектор – эмиттер при I
к
=20мА, I
б
=2мА, не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315В, КТ315Г 0,4В
КТ315Д, КТ315Е 1В
КТ315Ж 0,5В
Предельные эксплуатационные данные
• Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при R
бэ
=10кОм
КТ315А 25В
КТ315Б 20В
КТ315В, КТ315Д 40В
КТ315Г, КТ315Е 35В
КТ315Ж 15В
КТ315И 60В
• Постоянное напряжение база – эмиттер 6В
Зависимость статического Зависимость напряжения Выходные характеристики
коэффициента передачи тока насыщения коллектор-эмиттер КТ315А
от тока эмиттера от тока коллектора I
к
(КТ361А) I
б
,мА
h
21э
U
кэ
мА
КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е КТ315 100
I
б
=0,1I
к
120 0,2 80 6,8мА
100 U
кб
=10В 60 5мА
80 0,1 40 3,4мА
2мА
60 0,05 20
КТ315А,КТ315В,КТ315Д
40 0
0 20 40 60 80 I
э
,мА 0 20 40 60 I
к
,мА 0 3 6 9 12 15 18U
кэ
,В

Страницы