Устройства приема и обработки сигналов. Афанасьев Г.Ф - 22 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

2Т317А –1, 2Т317Б – 1, 2Т317В – 1, КТ317А – 1, КТ317Б – 1, КТ317В – 1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально – планарные n – p – n универсальные
высокочастотные маломощные.
Электрические параметры
• Напряжение насыщения коллектор – эмиттер при I
к
=10мА, I
б
=1,7мА:
2Т317А –1, КТ317А – 1 0,3В
при I
б
=1мА:
2Т317Б – 1, КТ317Б – 1 0,3В
• Напряжение насыщения база – эмиттер при I
к
=10мА, I
б
=1мА:
2Т317А –1, КТ317А – 1 0,85В
при I
б
=0,6мА:
2Т317Б – 1, КТ317Б – 1 0,85В
• Статический коэффициент передачи в схеме с общим эмиттером при U
кэ
=1В, I
э
=1мА
при Т=298К:
2Т317А – 1, КТ317А – 1 25 – 75
2Т317Б – 1, КТ317Б – 1 35 – 120
2Т317В – 1, КТ317В – 1 80 – 250
Предельные эксплуатационные данные
• Постоянные напряжения коллектор–база, коллектор–эмиттер при R
бэ
=3кОм 5В
• Постоянное напряжение эмиттер–база 3,5В
• Постоянный ток коллектора 15мА
• Импульсный ток коллектора при τ
u
≤10мкс, Q≥10, τ
ср
≤100пс 45мА
• Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=213 – 313К 15мВт
Выходные характеристики
КТ317А
I
к
,мА I
б
,мА
U
кэ
=1В
250 2Т317В-1,КТ317В-1 0,10 I
б
=0,4мА
200 0,08 16
2,5мА
150 2Т317Б-1,КТ317В-1 0,06 I
б
=0,7мА 12 1,4мА
100 0,04 8
I
к
=10мА 0,8мА
50 0,02 4 0,2мА
2Т317А-1,КТ317А-1 2Т317,КТ317
0 0
213 253 293 333 373 Т,К 0 1 2 3 4 5 U
кэ
, В

Страницы