Микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин. Агеев О.А - 115 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

117
m
f
f
s
N
N
ΔΔ
⋅⋅
−=
ρ
2
0
,
где - f
0
- резонансная частота кварцевого резонатора, N=1770 кГц⋅мм - посто-
янная, ρ
N
- плотность пьзокварца(~2.65 г/см
3
), S- площадь пьезоэлемента, Δm
- изменение массы сорбента.
Таким образом, при прочих равных условиях величина выходного сиг-
нала пьезосорбционного чувствительного элемента влажности определяется
сорбционной активностью применяемого сорбента.
В качестве влагочувствительного покрытия, толщина которого обычно
не превышает 1-2 мкм, применяются гигроскопичные соли лития и кальция
(LiCl, LiBr, CаСl
2
), фториды кальция, магния, натрия, бария, P
2
O
5
, плёнки
пористого стекла, окиси кремния, органические полимерные материалы. Ор-
ганические полимеры широко применяются в приборах фирмы Du Pont
(США), занимающей ведущие позиции в разработке, изготовлении и реали-
зации датчиков влажности пьезосорбционного типа. Порог чувствительности
пьезосорбционного анализатора влажности одной из последних моделей со-
ставляет 0.02 ррм, полный диапазон измерения влажности от 0 до 20 000 ррм.
При
переходе от среды с более высокой влажностью к более сухой быстро-
действие пьезосорбционных датчиков влажности невелико. Для устранения
этого недостатка используют принудительную десорбцию влаги путём обду-
ва пьезосорбционного чувствительного элемента влажности потоком осу-
шенного газа или за счёт повышения температуры.
В целом для развития датчиков влажности характерны следующие ос-
новные
направления:
-переход на групповую планарную микроэлектронную технологию;
-создание многофункциональных датчиков температуры и влажности;
-схемотехническая интеграция, т.е. размещение датчиков на одной под-
ложке с обрабатывающей схемой.
6. АВТОГЕНЕРАТОРНЫЕ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ДАТЧИКИ
НА ОСНОВЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ АНАЛОГОВ НЕГАТРОНОВ
6.1. Транзисторные аналоги негатронов
Транзисторные аналоги негатронов (АН) по сравнению с негатронами
(динистор, тиристор, однопереходной транзистор, тунельный диод) обладают
лучшей воспроизводимостью, управляемостью характеристик, повышенной
температурной стабильностью, более высокими рабочими частотами. Гене-
раторы, реализованые на АН, требуют применения минимального количе-
ства реактивных элементов (катушек, конденсаторов), поэтому АН удобно
использовать в микроэлектронике. Автогенераторы в датчиках используются
в следующих ролях:
а) сигнал от автогенератора подается на одну из диагоналей мостовой
схемы, в одно или несколько плеч которой включаются сенсоры (чувстви-

Страницы