Микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин. Агеев О.А - 114 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

116
Рис.68. Конструкция алюминиево-оксидного датчика влажности (а) и
зависимость его емкости от влажности (б): 1- кремниевая подложка; 2- SiO
2
;
3,4- контактные площадки; 5- нижний Al электрод; 6- Al
2
O
3
; 7- влагопрони-
цаемый Au электрод; 8- дорожка для соединения с другими датчиками на
подложке; 9- дополнительная металлизация для контактной площадки
Рис.69. Конструкция алюминиево-оксидного датчика влажности Aqu-
maxII: 1- кремниевая подложка n-типа; 2- диффузионные области p-типа; 3-
слой SiO
2
; 4- контакты к области p-типа; 5- нагреватель (нихром); 6- кон-
тактные площадки датчика влажности; 7- нижний Al электрод; 8- анодная
пленка Al
2
O
3
; 9- верхний золотой электрод

Страницы