Микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин. Агеев О.А - 137 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

139
Рис. 99. Схема датчика магнитного поля на двух комплементарных би-
полярных транзисторах (а) и график зависимости изменения частоты от ин-
дукции магнитного поля (б). VT1 – КНТ591В, VT2 – КТС3103. 1- С1=6800
пФ, f
0
=862 кГц; 2 – С1=910 пФ, f
0
=4619 кГц
Рис. 100. Схема датчика магнитного поля на четырех комплементарных
транзисторах (а) и график зависимости изменения частоты от изменения ин-
дукции магнитного поля (б). VT1, VT2 – КНТ591В, VT3, VT4 – КТС3103. 1-
С1=6800 пФ, f
0
=572 кГц; 2 – С1=910 пФ, f
0
=1283 кГц

Страницы