ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
140
Рис. 101. Схема датчика магнитного поля на однотипных биполярных
транзисторах (а) и график зависимости изменения частоты от изменения ин-
дукции магнитного поля (б). VT1 – VT6 КНТ591В, С1= 1 нФ, f
0
=290 кГц
Рис. 102. Конструкция ГМР-элемента
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 136
- 137
- 138
- 139
- 140
- …
- следующая ›
- последняя »
