ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
18
Одним из распространенных методов получения пленок антимонида
индия является жидкофазная эпитаксия, которая позволяет получать наибо-
лее совершенные пленки, причем процесс выращивания проводится всего
при 300
°С. Этим способом формируются пленки InSb толщиной 1.8÷9 мкм с
концентрацией электронов 5⋅10
15
см
-3
и подвижностью 55000-58000 см
2
/B⋅с.
Другим известным способом является термическое напыление с после-
дующим отжигом при 500-600
°С, позволяющее получать практически мо-
нокристаллические плёнки InSb на i-GaAs с концентрацией электронов 6⋅10
17
см
-3
. ДХ на таких пленках нашли применение для измерения сильных маг-
нитных полей (до 14 Тл) в широком температурном диапазоне (4,2-350 К).
Для получения достаточно высокой чувствительности следует исполь-
зовать возможно меньшие толщины пленок, но в то же время они должны
быть способны пропускать большой управляющий ток (100-200 мА). Это
обстоятельство предъявляет особые требования
к омическим контактам ДХ.
Обычно в качестве материала для контактов к InSb используется In. Однако
при подпайке выводов к индиевым контактам часто происходит растекание
припоя, ухудшающее электрические характеристики приборов.
Поэтому в качестве контактов для ДХ на основе InSb используется
трехслойная металлизация: подслой ванадия (для улучшения адгезии), про-
водящий слой меди и защитное покрытие из
никеля.
Для обеспечения линейной зависимости U
H
=f(В) датчика ХИС (датчик
Холла из InSb) отношение длины к ширине активной части датчика выбира-
ется равным трем, а сама пленка формируется в виде крестообразной струк-
туры, исключающей влияние токовых контактов на основные характеристи-
ки (рис.6), так как они вынесены за пределы активной области элемента Хол-
ла.
2.1.3. Кремниевые интегральные ДХ
Широкое применение дискретных ДХ все-таки ограничивается высокой
стоимостью полупроводниковых материалов класса А
III
В
V
. Использование
микроэлектронной технологии кремниевых ИС позволяет располагать на
едином кристалле как ДХ, так и схемы усиления и обработки сигналов, что
компенсирует низкую чувствительность кремния и удешевляет стоимость
приборов, вследствие применения групповых методов обработки. Параметры
ДХ при этом определяются конструктивно-технологическими особенностями
изготовления ИС обработки сигналов.
Как известно, в биполярной технологии
изготовления кремниевых ИС
существуют два основных типа изоляции элементов: обратно смещенным р-
n-переходом и различные виды диэлектрических изоляций, самым
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »
