Микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин. Агеев О.А - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

25
ном значении магнитной индукции (обычно 0,3 и 1,0 Тл) к начальному со-
противлению, магнитная чувствительность γ
mp
, определяемая как относи-
тельное приращение сопротивления, деленное на соответствующее прираще-
ние магнитной индукции ΔR/RΔB, и нагрузочная способность, определяемая
предельным значением температуры перегрева, который допускается для
магниторезистора. Нагрузочная способность указывается в паспорте либо в
виде значений рассеиваемой мощности Р, либо в виде предельно допустимо-
го тока I
max
, либо как тепловое сопротивление
,
max okp
th
tt
P
G
−
=
(22)
где Р - мощность, выделяемая в магниторезисторе; t
max
- максимально допус-
тимая температура резистора; t
окр
- температура окружающей среды.
При определении нагрузочной способности магниторезистора при по-
стоянном токе исходят из максимального значения сопротивления R
b
(т.е.
при B
max
), а при постоянном питающем напряжении - из минимального зна-
чения сопротивления R
0
при B=0. При работе на переменном токе магнито-
резистивный эффект не зависит от частоты вплоть до значений 10 ГГц.
В случае наклейки магниторезисторов на металлическую подложку воз-
можны возникновения токов Фуко, поэтому при высоких частотах применя-
ется подложка из феррита. В табл.2 приведены параметры магниторезисто-
ров из эвтектического сплава InSb-NiSb при T=25
0
C, причем все подложки
выполнены из ферритов.
Последние два типа указанных в табл.2 магниторезисторов являются
дифференциальными.
Параметры магниторезисторов из сплава InSb-NiSb. Таблица 2
Тип Начальное
сопротивле-
ние R
0
, Oм,
при В=0,
Т=25
0
С
Относитель-
ное изменение
R
B
/R
0
, T=25
o
C
B=1 Тл
Размеры маг-
ниторезистора,
мм
Максимальная
рассеиваемая
мощность, Вт
FP3050E 50 15 3.2x1.2x0.4 0.25
FP17200E 200 8.5 3.2x2.7x0.4 0.7
FP3060E 60 6 3.2x1.2x0.4 0.5
FP110155 2x155 15 3.2x2.0x0.4 0.7
FP111100 2x100 8.5 3.2x2.7x0.4 0.7
2.3. Гальваномагнитные преобразователи на активных элементах
2.3.1. Магнитодиоды
Магнитодиодом называется полупроводниковый преобразователь маг-
нитного поля, принцип действия которого основан на магнитодиодном эф-
фекте.
Магнитодиодный эффект проявляется в диодах с длинной базой и за-

Страницы