Микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин. Агеев О.А - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

26
ключается в резком изменении электрического сопротивления диода, вклю-
ченного в прямом направлении, при воздействии поперечного магнитного
поля [3]. В длинных диодах прямой ток определяется неравновесной прово-
димостью базовой области. Распределение инжектированных носителей в
базе диода определяется подвижностью и временем жизни. В магнитном по-
ле вследствие магниторезистивного эффекта уменьшается подвижность но-
сителей и
, следовательно, проводимость базы, что приводит к перераспреде-
лению напряжений, падающих на p-n-переходе, и в толще базы: падение на-
пряжения на базе растет, а на p-n-переходе уменьшается. Уменьшение на-
пряжения на p-n-переходе приводит к уменьшению уровня инжекции и к
дальнейшему увеличению сопротивления толщи базы. Последнее вызывает
новое перераспределение напряжения и т.
д.
Таким образом, эффект магнитосопротивления за счет изменения уров-
ня инжекции усиливается в сотни раз. Магниточувствительность длинных
диодов во много раз превышает чувствительность магниторезисторов.
Существенным недостатком магнитодиодов является сильная зависи-
мость электрических параметров от температуры, которая определяется тем-
пературной зависимостью подвижности носителей и увеличением концен-
трации основных носителей за счёт их
генерации с ростом температуры. В
табл.3 приведены параметры выпускаемых промышленностью магнитодио-
дов типа КД301 и КД303.
Электрические параметры магнитодиодов Таблица 3
Тип Прямое напря-
жение при I=3
mA
Магнитная чувстви-
тельность В/Тл, при
Т=25
0
С, I=1 mA
Магнитная чув-
ствительность
В/Тл, при
Т=25
0
С, I=3 mA
КД301А 6.0-7.5 5 15
КД301В 9.2-10.5 10 30
КД301Д 12.2-13.5 15 45
КД301Ж 15.2-20.0 20 60
КД303А 4.0-5.0 - 10
КД303В 6.1-7.0 - 25
КД303Д 9.1-11.0 - 35
КД303 13.1-15.0 - 45
Магнитодиоды типа КД303 в отличие от КД301 имеют вольт-амперную
характеристику, зависящую не только от значений прямого тока и магнитной
индукции, но и от ее направления (рис.8).
2.3.2. Магнитотранзисторы
В наибольшей степени магнитодиодный и магниторезистивный эффек-
ты проявляются в магнитотранзисторах [1]. Инжектированные из эмиттера
носители преодолевают базу за счет процесса диффузии и попадают в кол-

Страницы