Микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин. Агеев О.А - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

28
Для этого используют конструкцию транзистора с удлиненной базой.
Магнитное поле искривляет траектории носителей, так что часть носителей,
ранее попадавшая в коллектор, отклоняется от него (рис.9). Таким образом, в
такой структуре магнитное поле приводит к дополнительному, по сравнению
с обычным транзистором, уменьшению коэффициента передачи тока.
Чтобы отклоняемые носители не накапливались в базовой
области, не-
обходимо, чтобы вблизи коллектора была высокая скорость поверхностной
рекомбинации. Для создания магнитотранзисторов используют обычно кон-
струкцию биполярного транзистора, в котором увеличена ширина базы, а в
область перехода база-коллектор введены центры рекомбинации, обеспечи-
вающие увеличение её скорости.
2.4. Гальваномагниторекомбинационные преобразователи
2.4.1. Гальваномагниторекомбинационный (ГМР) эффект
ГМР-эффект относится к магниторекомбинационным явлениям и за-
ключается в следующем. В полупроводнике с током, помещенном в магнит-
ное поле, под действием силы Лоренца пары носителей отклоняются и скап-
ливаются у одной из поверхностей, тогда как у противоположной поверхно-
сти концентрация электронно-дырочных пар уменьшается. Если скорость
рекомбинации на одной
грани больше, чем на другой, то при отклонении
носителей к этой грани наблюдается резкое убывание тока с ростом магнит-
ного поля [15]. Относительное изменение проводимости вдоль оси Х
(рис.10), обусловленное изменением средней по сечению образца концентра-
ции носителей заряда, равно
(
)
()( )
,
1
0
0
0
0
2
0
0
2
0
kTd
p
b
n
p
n
BEL
p
n
b
q
a
zxD
n
m
B
++
+
=
Δ
θ
μ
σ
σ
(28)
где
,
2
csc1
2
1
22
(
1
2
00
0
L
d
h
L
L
L
L
L
d
cth
L
L
L
d
cth
L
L
dsd
s
sd
s
dsd
D
d
sd
s
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−−
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+
−
=
θ
(29)
q-заряд электрона; b = μ
p
/μ
n
; μ
p,
μ
n
– подвижности электронов и дырок; n
o
, p
o
–
концентрация электронов и дырок в образце при В=0; k – постоянная Больц-
мана; Т- температура окружающей среды; d –ширина образца; B
z
– магнитная
индукция вдоль оси z; E
x
– напряженность электрического поля вдоль оси x;
L
d
=
τ
D
- длина биполярной диффузии; τ - время жизни носителей, L
s0
и L
sd
- длины диффузионных пробегов носителей в направлении соответствующих
граней

Страницы