ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
40
Параметры магниточувствительных микросхем Таблица 6
тип МИС В
ср
, мТл,
min/max
Гистерезис,
mТл
I
пит
,
мА
диапазон тем-
ператур,
о
С
К1116КП3, СССР 20/35 5 6 -40 … +125
1AV2A HONEYWELL,
США
40/45 10 13 -40 … +150
SAS 221S4, “SIEMENS”,
ФРГ
25/40 5 7 -40 … +125
TL172 TEXAS INSTRU-
MENT, США
60/10 40 - -40 … +125
DGN 3203 “SPRAQUE”,
США
35/10 20 - -40 … +125
S6SS2 MICROSWITCH,
США
62/12 40 - -40 … +150
МКМ 1159КП1 5/15 2 6 -60 … +125
Чувствительным элементом является элемент Холла, выполненный на
основе тонкого инверсионного слоя n-канала МОП-транзистора. Помимо
обычных областей стока, истока и затвора холловский транзистор содержит
две дополнительные области холловских контактов, формируемых одновре-
менно со стоком и истоком (рис.18, а). Геометрические размеры транзистора
близки к оптимальным. Напряжение Холла, возникающее при воздействии
магнитного поля
, передается непосредственно с холловских контактов на
затворы двух усилительных транзисторов, управляя протекающими в них
токами (рис.18, б).
2.5.2. Линейные магниточувствительные схемы
Для измерения относительно небольших изменений магнитного поля
применяются магниточувствительные схемы с линейным выходом, в кото-
рых напряжение холла изменяется пропорционально индукции магнитного
поля. В отсутствие внешнего магнитного поля выходное напряжение линей-
ной магниточувствительной схемы (МИС), принимаемое за уровень отсчета,
обычно равно половине питающего напряжения. При регистрации положи-
тельного направления магнитного поля
выходное напряжение выше уровня
отсчета, при регистрации отрицательного направления - ниже, хотя оно и
остается положительной величиной.
Основными параметрами линейных МИС являются магнитная чувстви-
тельность, диапазон выходных рабочих напряжений, линейность характери-
стики, напряжение питания.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »
