ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
42
Чувствительность линейных МИС, как правило, лежит в пределах 1.3÷7
мВ/Гс, а напряжение питания – в диапазоне от 4.5 до 16 В. Например, линей-
ная МИС типа SAS 231L, выпускаемая фирмой SIEMENS по биполярной
технологии, расположена на кристалле с размерами 0,7x0,9 мм и при напря-
жении питания 15 В имеет предельное выходное напряжение 13 В и среднюю
крутизну характеристики преобразования
1 мВ/Гс [3]. В рабочем диапазоне
температур 0÷70 °С ток, потребляемый МИС при холостом ходе (т.е. R
н
=∞,
U
п
=15 В), составляет 6 мА, номинальный выходной ток – 5 мА, нелинейность
характеристики – не более 2%. Наличие у МИС высокого выходного сигнала,
имеющего стандартизированное значение (10 В, 5 мА), упрощает построение
различных измерительных устройств и уменьшает их габариты.
В табл.7 приведены основные параметры линейных МИС, разработан-
ных известными фирмами.
Линейные магниточувствительные ИС Таблица 7
Тип Изготовитель Магнитная чувст-
вительность, mB/Гс
I
пот
,
мА
U
вых
, В
TL173 Texas Instruments 1.5 20 5.4…6.6
UGN
301
Spraque 0.7 15 3.6…4.2
633SS2 Microswitch 1 5 1.75…2.2
SAS231L Siemens 1 5 7…13
ИПДМП МИЭТ, Москва 2.5 0.2 6.3…7.7
Последняя схема, разработанная в Московском институте электронной
техники, в отличие от всех остальных изготовлена по КМОП- технологии и,
как видно из таблицы, имеет максимальную чувствительность и минималь-
ный потребляемый ток [27].
Магниточувствительный КМОП транзистор изготовлен по стандартной
5–микронной КМОП-технологии с поликремниевым затвором. В качестве
подложек использовались кремниевые пластины n-типа проводимости
с
удельным сопротивлением 4.5 0м·см и ориентацией (100).
В основе конструкции магнитотранзистора лежат двухстоковые сим-
метричные МОП-транзисторы с каналами n- и p-типа проводимости. В сто-
ках магнитотранзистора при отсутствии магнитного поля текут практически
равные токи, различие которых определяется лишь рассовмещением тополо-
гических слоев в технологическом процессе изготовления МИС.
Воздействие магнитного поля перпендикулярно
поверхности кристалла
приводит к отклонению линий тока в области n- и p-типа МОП-
магнитотранзисторов, что создает асимметрию в распределении токов стоко-
вых областей и обусловливает изменение разности потенциалов между сто-
ками, величина которой и является мерой напряженности магнитного поля.
Линейные ИМС могут применяться для бесконтактного измерения то-
ков в проводах, а
при высокой чувствительности и использовании концен-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- …
- следующая ›
- последняя »
