ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
54
В режиме постоянного напряжения на затворе U
з
и стоке U
ст
изменение
сопротивления канала ничем не отличается от аналогичного изменения со-
противления обычного тензорезистора, поэтому значение будет таким же.
В режиме постоянных I
ст
и U
з
, например U
з
=0 (затвор замкнут с исто-
ком), обратное напряжение на p-n-переходе равно U
pn
=U
ст
=I
ст
R
к
. Если при
деформации Rк увеличивается, это приводит к росту U
pn
. Из-за увеличения
U
pn
происходит сужение канала и дополнительное увличение R
к
. В данном
случае величина U
ст
увеличивается на большую величину, чем при измене-
нии R
к
только за счет изменения, т.е. тензочувствительность увеличивается.
Тензочувствительность полевого транзистора с p-n-переходом не выше,
чем у биполярного.
МДП-транзисторы. Влияние деформации на характеристики МДП-
транзистора, работающего в режиме постоянных напряжений стока и затвора
или постоянных напряжений затвора и тока стока, аналогично отмеченному
выше, если не учитывать изменения свойств диэлектрика
и заряда на поверх-
ностных состояниях. Использование последних двух эффектов позволяет
значительно увеличить тензочувствительность МДП-транзисторов.
Выходной характеристикой полевого МДП-транзистора может быть за-
висимость тока стока от приложенной нагрузки.
Несмотря на очевидные преимущества активных тензоэлементов наи-
большее применение нашли тензопреобразователи на основе тензорезисто-
ров прежде всего за счет простой
технологии изготовления и, соответствен-
но, дешевизны приборов.
3.3. Классификация интегральных тензопреобразователей давления
3.3.1. Пути интеграции тензопреобразователей
В интегральных тензопреобразователях давления в качестве чувстви-
тельного элемента чаще всего используется диффузионный резистор. На
рис.23 схематично показано устройство классического тензорезистивного
преобразователя давления.
Роль элемента, воспринимающего давление, выполняет мембрана, ко-
торая, деформируясь, передаёт воздействие через шток (передающий
элемент) на балку (упругий элемент). Деформация упругого элемента
вызывает появление механических напряжений в
тензорезисторах,
включённых в схему вторичного преобразователя, где могут использоваться
усилители и преобразователи сигнала, а также подстроечные элементы.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 50
- 51
- 52
- 53
- 54
- …
- следующая ›
- последняя »
