ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
60
ческую изоляцию компонентов. Эту структуру целесообразно использовать,
когда на основании необходимо интегрировать электронные схемы.
Структуры IV и VIII являются альтернативными предыдущему вариан-
ту с преимуществом окисной изоляции компонентов, интегрируемых на ос-
новании ( рис.27, г). Обе стороны упругого элемента могут быть покрыты
одинаковым окислом. Это имеет важное значение для поверхности мембра-
ны и уменьшения
температурных погрешностей преобразователей. Недос-
татком является сложность обеспечения воспроизводимости.
Структура IX ( рис.27, д) целесообразна для создания преобразователей,
работающих в широком температурном диапазоне благодаря окисной изоля-
ции термоэлементов.
Структура X ( рис.27, е) сочетает возможность получения хорошо кон-
тролируемой формы и толщины окружающего элемента преобразователя.
Структура XI ( рис.3.9, ж) изготовлена по технологии “кремний на сап-
фире” (КНС). Производство КНС преобразователей целесообразно и оправ-
дано только, когда необходимо обеспечить большой температурный диапа-
зон, работу в агрессивных средах, хорошую электрическую изоляцию от сре-
ды и повышенную радиационную стойкость.
Для ряда задач используют структуры, представленные на рис.27, з, и.
Для их получения специальным образом профилируют мембрану.
Целью микропрофилирования является
снижение нелинейности и по-
вышение чувствительности выходного сигнала. При этом несколько услож-
няется технология изготовления датчиков.
3.3.3. Технологические этапы изготовления интегральных тензо-
преобразователей
Технология изготовления интегральных тензопреобразователей хотя и
базируется на общей технологии интегральных схем, однако предполагает
разработку и использование специфических технологических операций
(рис.28).
Первый этап - окисление пластины (рис.28, а) n-Si (100). Хорошо отра-
ботанный этап имеет особенности - качественный окисел должен быть полу-
чен с обеих сторон пластины, толщина окисла должна обеспечивать защиту
поверхности Si для
глубокого микропрофилирования при анизотропном
травлении.
Второй этап - двустороннее совмещение и фотолитография (рис.28, б),
не типичен для стандартного планарного процесса. Тензочувствительные
элементы изготавливают на одной стороне пластины, а микропрофилирова-
ние происходит на другой.
Способы проведения двустороннего совмещения и фотолитографии:
1. Совмещение в ИК-свете. На одной стороне обычным способом фор-
мируют рисунок
компонентов ИС, затем фоторезист наносят на другую сто-
рону пластины и совмещение с очередным фотошаблоном проводят в ИК-
свете.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 56
- 57
- 58
- 59
- 60
- …
- следующая ›
- последняя »
