ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
78
Влияние газовых молекул, адсорбированных на поверхности, проникает
достаточно глубоко внутрь полупроводника. Пример этого — влияние ад-
сорбции на проводимость полупроводника. Если при адсорбции поверхность
полупроводника заряжается положительно, то вблизи поверхности увеличи-
вается концентрация свободных электронов. При этом увеличивается элек-
тронная проводимость приповерхностной области, что может отразиться на
проводимости всего образца в целом
. Если же поверхность при адсорбции
заряжается отрицательно, то это приводит к обогащению приповерхностного
слоя дырками, т. е. к увеличению дырочной проводимости.
Таким образом, адсорбция вызывает увеличение или уменьшение про-
водимости полупроводника в зависимости от того, какой газ (акцепторный
или донорный) адсорбируется и на каком полупроводнике (электронном или
дырочном). Так, адсорбция
кислорода на окиси цинка (электронный полу-
проводник) всегда снижает проводимость, в то время как проводимость оки-
си никеля (дырочный полупроводник) в результате адсорбции кислорода
всегда возрастает. Водород обычно оказывает противоположное влияние, т.к.
газовые молекулы, адсорбированные на поверхности, действуют подобно
атомам примеси, введенным внутрь кристалла: или обедняют, или обогаща-
ют полупроводник
носителями заряда.
Необходимо отметить, что адсорбционная способность поверхности
оказывается чувствительной не только к примесям, размещенным на поверх-
ности, но и к тому, какие примеси и в каких концентрациях внедрены в глу-
бину полупроводника. Вводя небольшое количество примеси в полупровод-
ник, можно изменить во много раз адсорбционную способность его поверх-
ности,
поскольку она зависит, при прочих равных условиях, от концентрации
свободных электронов и свободных дырок в полупроводнике. В то же время
концентрация свободных электронов и дырок регулируется примесью, со-
держащейся в полупроводнике. Таким образом, примесь, размещенная в по-
лупроводнике, управляет адсорбционными свойствами его поверхности че-
рез коллектив свободных электронов и дырок.
4.1.3. Химические реакции на поверхности полупроводников
Рассмотрим полупроводник, помещенный в газовую среду, представ-
ляющую собой смесь разных газов, т. е. смесь молекул различных сортов [1].
Предположим, что в этой газовой среде протекает некая химическая реакция,
в результате которой некоторые молекулы исчезают, а вместо них возникают
новые молекулы. Вещества, вступающие в реакцию, называются реагента-
ми, а вещество, возникающее
в результате реакции,— продуктом реакции.
Количество продукта, возникающего за единицу времени, характеризует ско-
рость реакции.
Когда в среду реагирующих газов помещено твердое тело (полупровод-
ник), газовые молекулы адсорбируются на его поверхности и вступают в ре-
акции с другими адсорбированными молекулами или с молекулами, нале-
тающими из газовой фазы. Таким образом
, реакция переносится из газовой
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 74
- 75
- 76
- 77
- 78
- …
- следующая ›
- последняя »
