Микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин. Агеев О.А - 89 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис.49. Структура и топология МДП-транзистора с расщеплённым за-

твором: 1 – SiO

; 2 – силикат; 3 – сток (исток); 4 – затвор

Рис.50. Газовый датчик с воздушным затвором: 1 – слой SiO

; 2 – поли-

кремний; 3, 4 – Al контакты

Рис.51. МДП-транзистор с сетчатым затвором: 1 – слой SiO

; 2 – под-

слой; 3 – платиновый затвор; 4 – чувствительное покрытие