Электротехническое материаловедение. Агеева Н.Д - 16 стр.

пример маслянокани-фольные компаунды, целлюлоза, эпоксидные смолы и
композиционные материалы, составленные из этих веществ, для них
                                            Q э + Q и + Q др
                        3,0 < ε < 4,5 = 1 +                     .
                                                   Q
                                                     0
      Третья группа – технические диэлектрики с ионной и электронной по-
ляризациями; диэлектрики с электронной, ионной релаксационными поляри-
зациями делится на две подгруппы. К первой подгруппе относятся в основ-
ном кристаллические вещества с плотной упаковкой ионов ε < 3,0. Ко второй
подгруппе относятся неорганические стекла и материалы, содержащие стек-
ловидную фазу, а также кристаллические вещества с неплотной упаковкой
ионов.
                                          Q э + Q и + Q ир + Q эр
                      3,0 < ε < 4,0 = 1 +                         .
                                                    Q
                                                      0
      Четвертую группу составляют сегнетоэлектрики, имеющие спонтан-
ную, электронную, ионную, электронно-ионно-релаксационные поляризации,
а также миграционную или высоковольтную для композиционных, сложных
и слоистых материалов, для которых
                             Q э + Q и + Q др + Q ир + Q эр + Q м + Q сп
               ε > 4,0 = 1 +                                             .
                                                 Q
                                                   0

     1.4. Электропроводность днэлектриков

      Поляризационные процессы смещения связанных зарядов в диэлектри-
ке протекают во времени до момента установления равновесия и создают то-
ки смещения. В случае электронной и ионной поляризаций эти токи практи-
чески не удается зафиксировать приборами. Токи смещения различных видов
замедленной поляризации, наблюдаемые в большинстве технических диэлек-
триков, называют токами абсорбции. При приложении постоянного напря-
жения они наблюдаются при включении и выключении, меняя свое направ-
ление. Наличие в технических диэлектриках небольшого числа свободных
зарядов приводит к возникновению малых по величине сквозных токов.
      Плотность тока утечки в диэлектриках определяется суммой сквозного
тока и тока абсорбции (А/м2)
                                    јут1 = јск1 + јабс1.
Этот ток различается как перемещение зарядов по поверхности и выразится
                                iут1 = iск1 + iабс1.
      Плотность тока смещения определяется скоростью изменения вектора
электрического смещения
                             јсм2 = dD / dt = јабс2,
где D – вектор электрического смещения, Кл/с; t – время, с.
      После окончания процессов поляризации внутри структуры через ди-
электрик протекает только сквозной ток. Поэтому ток смещения различается
как перемещение зарядов внутри структуры диэлектрика и выразится