Электротехническое материаловедение. Агеева Н.Д - 77 стр.

Рис. 4.2 Структура энергетических уровней в изолированном атоме кремния,
  а также схематическая структура энергетических зон, возникающих при
  сближении этих атомов и образовании монокристаллического кремния.

     При достаточно глубоком минимуме в его окрестности появляется зона
почти локализованных состояний носителей зарядов с малой подвижностью
(псевдощель). Если при повышении температуры происходит «схлопывание»
псевдощелей, жидкий полупроводник превращается в металл.

    4.4 Проводимость полупроводников

    При приложении электрического поля к однородному полупроводнику в
последнем протекает электрический ток. При наличии двух типов свободных
носителей - электронов и дырок - проводимость γ полупроводника будет оп-
ределяться суммой электронной γ n и дырочной γ p компонент проводимости
γ = γ n + γ p . Величина электронной и дырочной компонент в полной проводи-
мости определяется классическим соотношением: γ n = µ n n 0 q; γ p = µ p p 0 q
где µ n и µ p - подвижности электронов и дырок соответственно.
     Для легированных полупроводников концентрация основных носителей
всегда существенно больше, чем концентрация неосновных носителей, по-
этому проводимость таких полупроводников будет определяться только ком-
понентой проводимости основных носителей. Так, для полупроводника n-
типа
                                  γ = γn + γp = γn