ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Величина, обратная удельной проводимости, называется удельным сопро-
тивлением:
npn
γ
1
γγ
1
γ
1
ρ =
+
== .
Здесь
ρ
- удельное сопротивление, обычно измеряемое в единицах [Ом см].
Для типичных полупроводников, используемых в производстве интеграль-
ных схем, величина удельного сопротивления находится в
ρ
= (1-10) Ом см.
Получаем ,
qNμ
1
qnμ
1
γ
1
ρ
Dn0nn
=== где - концентрация доноров в полу-
проводнике n- типа в условиях полной ионизации доноров, равная концен-
трации свободных электронов
0
n .
В отраслевых стандартах для маркировки полупроводниковых пластин
обычно используют следующее сокращенное обозначение типа: КЭФ-4,5. В
этих обозначениях первые три буквы обозначают название полупроводника,
тип проводимости, наименование легирующей примеси. Цифры после букв
означают удельное сопротивление, выраженное во внесистемных единицах, -
Ом см. Например, ГДА-0,2 - германий, дырочного типа проводимости, леги-
рованный алюминием, с удельным сопротивлением
ρ
= 0,2 Ом см; КЭФ-4,5 -
кремний, электронного типа проводимости, легированный фосфором, с
удельным сопротивлением
ρ
= 4,5 Ом см.
4.5 Примесная проводимость
Один и тот же полупроводник обладает либо электронной, либо дыроч-
ной проводимостью - это зависит от химического состава введенных приме-
сей. Примеси оказывают сильное воздействие на электропроводимость полу-
проводников: так, например, тысячные доли процентов примесей могут в
сотни тысяч раз уменьшить их сопротивление. Этот факт, с одной стороны,
указывает на возможность изменение свойств полупроводников, с другой
стороны, он свидетельствует о трудностях технологии при изготовлении по-
лупроводниковых материалов с заданными характеристиками.
Рассматривая механизм влияния примесей на электропроводимость по-
лупроводников, следует рассматривать два случая:
Электронная проводимость
Добавка в германий примесей, богатых электронами, например мышьяка
или сурьмы, позволяет получить полупроводник с электронной проводимо-
стью или полупроводник n - типа (от латинского слова «негативус» - «отри-
цательный»). Примеси создающие такую электропроводимость называют до-
норами.
Дырочная проводимость
Добавка в тот же германий алюминия, галлия или индия создает в кристалле
избыток дырок. Тогда полупроводник будет обладать дырочной проводимо-
стью - полупроводник p - типа.
Дырочная примесная электропроводимость создается атомами, имею-
Величина, обратная удельной проводимости, называется удельным сопро- тивлением: 1 1 1 ρ= = = . γ γn + γp γn Здесь ρ - удельное сопротивление, обычно измеряемое в единицах [Ом см]. Для типичных полупроводников, используемых в производстве интеграль- ных схем, величина удельного сопротивления находится в ρ = (1-10) Ом см. 1 1 1 Получаем ρ = = = , где - концентрация доноров в полу- γ n μ n n 0q μ n N Dq проводнике n- типа в условиях полной ионизации доноров, равная концен- трации свободных электронов n 0 . В отраслевых стандартах для маркировки полупроводниковых пластин обычно используют следующее сокращенное обозначение типа: КЭФ-4,5. В этих обозначениях первые три буквы обозначают название полупроводника, тип проводимости, наименование легирующей примеси. Цифры после букв означают удельное сопротивление, выраженное во внесистемных единицах, - Ом см. Например, ГДА-0,2 - германий, дырочного типа проводимости, леги- рованный алюминием, с удельным сопротивлением ρ = 0,2 Ом см; КЭФ-4,5 - кремний, электронного типа проводимости, легированный фосфором, с удельным сопротивлением ρ = 4,5 Ом см. 4.5 Примесная проводимость Один и тот же полупроводник обладает либо электронной, либо дыроч- ной проводимостью - это зависит от химического состава введенных приме- сей. Примеси оказывают сильное воздействие на электропроводимость полу- проводников: так, например, тысячные доли процентов примесей могут в сотни тысяч раз уменьшить их сопротивление. Этот факт, с одной стороны, указывает на возможность изменение свойств полупроводников, с другой стороны, он свидетельствует о трудностях технологии при изготовлении по- лупроводниковых материалов с заданными характеристиками. Рассматривая механизм влияния примесей на электропроводимость по- лупроводников, следует рассматривать два случая: Электронная проводимость Добавка в германий примесей, богатых электронами, например мышьяка или сурьмы, позволяет получить полупроводник с электронной проводимо- стью или полупроводник n - типа (от латинского слова «негативус» - «отри- цательный»). Примеси создающие такую электропроводимость называют до- норами. Дырочная проводимость Добавка в тот же германий алюминия, галлия или индия создает в кристалле избыток дырок. Тогда полупроводник будет обладать дырочной проводимо- стью - полупроводник p - типа. Дырочная примесная электропроводимость создается атомами, имею-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 76
- 77
- 78
- 79
- 80
- …
- следующая ›
- последняя »