Электротехническое материаловедение. Агеева Н.Д - 80 стр.

UptoLike

4.8 Полупроводниковые диоды
Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный
прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа,
количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольтам-
перной характеристики свойства полупроводниковых диодов бывают раз-
личными. В данном разделе будут рассмотрены следующие типы полупро-
водниковых диодов: выпрямительные диоды на основе р-n перехода, стаби-
литроны, варикапы, туннельные и обращенные диоды.
4.9 Характеристики идеального диода на основе р-п перехода
Основу выпрямительного диода составляет обычный электронно-
дырочный переход. Вольтамперная характеристика такого диода имеет ярко
выраженную нелинейность и описывается уравнением. В прямом смещении
ток диода инжекционный, большой по величине и представляет собой диф-
фузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещении
ток диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компо-
ненту тока не основных носителей. В состоянии равновесия суммарный ток,
обусловленный диффузионными и дрейфовыми токами электронов и дырок,
равен нулю.
(
)
1
G
V
s
JJe
β
=−
,
j
pE
– j
nD
+ j
nE
- j
pD
= 0
Рис. 4.3 Параметры
полупроводникового диода
Для анализа приборных характеристик выпрямительного диода важными яв-
ляются такие дифференциальные параметры, как коэффициент выпрямления,
характеристичные сопротивления и емкости диода в зависимости от выбора
рабочей точки.
4.10 Транзисторы
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый
прибор, состоящий из трёх областей с чередующимися типами электропро-
водности, пригодный для усиления мощности.
       4.8 Полупроводниковые диоды

      Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный
прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа,
количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольтам-
перной характеристики свойства полупроводниковых диодов бывают раз-
личными. В данном разделе будут рассмотрены следующие типы полупро-
водниковых диодов: выпрямительные диоды на основе р-n перехода, стаби-
литроны, варикапы, туннельные и обращенные диоды.

       4.9 Характеристики идеального диода на основе р-п перехода

       Основу выпрямительного диода составляет обычный электронно-
дырочный переход. Вольтамперная характеристика такого диода имеет ярко
выраженную нелинейность и описывается уравнением. В прямом смещении
ток диода инжекционный, большой по величине и представляет собой диф-
фузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещении
ток диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компо-
ненту тока не основных носителей. В состоянии равновесия суммарный ток,
обусловленный диффузионными и дрейфовыми токами электронов и дырок,
равен нулю.



           =− s
         JJe      (   β VG
                              )
                             1 ,
        jpE – jnD + jnE - jpD = 0




Рис. 4.3 Параметры
полупроводникового диода

Для анализа приборных характеристик выпрямительного диода важными яв-
ляются такие дифференциальные параметры, как коэффициент выпрямления,
характеристичные сопротивления и емкости диода в зависимости от выбора
рабочей точки.

4.10          Транзисторы

      Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый
прибор, состоящий из трёх областей с чередующимися типами электропро-
водности, пригодный для усиления мощности.