ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
4.8 Полупроводниковые диоды
Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный
прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа,
количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольтам-
перной характеристики свойства полупроводниковых диодов бывают раз-
личными. В данном разделе будут рассмотрены следующие типы полупро-
водниковых диодов: выпрямительные диоды на основе р-n перехода, стаби-
литроны, варикапы, туннельные и обращенные диоды.
4.9 Характеристики идеального диода на основе р-п перехода
Основу выпрямительного диода составляет обычный электронно-
дырочный переход. Вольтамперная характеристика такого диода имеет ярко
выраженную нелинейность и описывается уравнением. В прямом смещении
ток диода инжекционный, большой по величине и представляет собой диф-
фузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещении
ток диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компо-
ненту тока не основных носителей. В состоянии равновесия суммарный ток,
обусловленный диффузионными и дрейфовыми токами электронов и дырок,
равен нулю.
(
)
1
G
V
s
JJe
β
=−
,
j
pE
– j
nD
+ j
nE
- j
pD
= 0
Рис. 4.3 Параметры
полупроводникового диода
Для анализа приборных характеристик выпрямительного диода важными яв-
ляются такие дифференциальные параметры, как коэффициент выпрямления,
характеристичные сопротивления и емкости диода в зависимости от выбора
рабочей точки.
4.10 Транзисторы
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый
прибор, состоящий из трёх областей с чередующимися типами электропро-
водности, пригодный для усиления мощности.
4.8 Полупроводниковые диоды Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа, количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольтам- перной характеристики свойства полупроводниковых диодов бывают раз- личными. В данном разделе будут рассмотрены следующие типы полупро- водниковых диодов: выпрямительные диоды на основе р-n перехода, стаби- литроны, варикапы, туннельные и обращенные диоды. 4.9 Характеристики идеального диода на основе р-п перехода Основу выпрямительного диода составляет обычный электронно- дырочный переход. Вольтамперная характеристика такого диода имеет ярко выраженную нелинейность и описывается уравнением. В прямом смещении ток диода инжекционный, большой по величине и представляет собой диф- фузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещении ток диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компо- ненту тока не основных носителей. В состоянии равновесия суммарный ток, обусловленный диффузионными и дрейфовыми токами электронов и дырок, равен нулю. =− s JJe ( β VG ) 1 , jpE – jnD + jnE - jpD = 0 Рис. 4.3 Параметры полупроводникового диода Для анализа приборных характеристик выпрямительного диода важными яв- ляются такие дифференциальные параметры, как коэффициент выпрямления, характеристичные сопротивления и емкости диода в зависимости от выбора рабочей точки. 4.10 Транзисторы Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из трёх областей с чередующимися типами электропро- водности, пригодный для усиления мощности.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 78
- 79
- 80
- 81
- 82
- …
- следующая ›
- последняя »