Электротехническое материаловедение. Агеева Н.Д - 90 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ДВФУ | Владивосток

Составители: 

Рубрика: 

где
МАХ
В -амплитуда магнитной индукции, Тл; f - частота переменного тока,
Гц; d - толщина листа, м;
γ
- плотность, кг/м³;
ρ
- удельное электросопротив-
ление, Ом·м
Дополнительные потери или потери на магнитную вязкость (магнит-
ное последействие) обычно находят как разность между полными потерями
и суммой потерь на гистерезис и вихревые токи
)Р(РРР
ВГД
+−=
Рис.5.7 Зависимость магнитной проницаемости
μ
от температуры Т
4
Н <
2
Н <
2
Н <
1
Н
1
Н - соответствует
НАЧ
μ ,
4
Н - соответствует области насыщения
Магнитная вязкость )(tJJ
nn
= завит от времени действия магнитного
поля. J при включении магнитного поля Н быстро достигает значения J
1
, а
затем со временем возрастает в соответствии с формулой
t/τ/τ))exp((1J(t)J
non
−−= ,
где J
no
– намагниченность при t
∞
→
,
τ
- время релаксации.
На рисунке 5.4 показана зависимость напряженности магнитного поля
и намагниченности от времени действия магнитного поля. В магнитотвер-
дых материалах время
τ
магнитной релаксации может достигать нескольких
минут. Такое явление называют сверхвязкостью.
Тангенс угла магнитных потерь используется в переменных полях. Его
можно выразить через параметры эквивалентной схемы, показанной на рис-
нке 5.5. Индуктивную катушку с сердечником из магнитного материала
представляют в виде последовательной схемы из индуктивности L и актив-
ного сопротивления R. Пренебрегая собственной емкостью и сопротивлени-
ем обмотки катушки, получаем 
где В МАХ -амплитуда магнитной индукции, Тл; f - частота переменного тока,
Гц; d - толщина листа, м; γ - плотность, кг/м³; ρ - удельное электросопротив-
ление, Ом·м
       Дополнительные потери или потери на магнитную вязкость (магнит-
ное последействие) обычно находят как разность между полными потерями
и суммой потерь на гистерезис и вихревые токи
                                  Р Д = Р − (Р Г + Р В )




    Рис.5.7 Зависимость магнитной проницаемости μ от температуры Т
                                      Н 4 < Н 2 < Н 2 < Н1
          Н 1 - соответствует μ НАЧ , Н 4 - соответствует области насыщения

       Магнитная вязкость J n = J n (t ) завит от времени действия магнитного
поля. J при включении магнитного поля Н быстро достигает значения J1, а
затем со временем возрастает в соответствии с формулой
                                J n (t) = J no (1 − exp(− t/τ/τ)) ,
где Jno – намагниченность при t → ∞ , τ - время релаксации.
       На рисунке 5.4 показана зависимость напряженности магнитного поля
и намагниченности от времени действия магнитного поля. В магнитотвер-
дых материалах время τ магнитной релаксации может достигать нескольких
минут. Такое явление называют сверхвязкостью.
       Тангенс угла магнитных потерь используется в переменных полях. Его
можно выразить через параметры эквивалентной схемы, показанной на рис-
нке 5.5. Индуктивную катушку с сердечником из магнитного материала
представляют в виде последовательной схемы из индуктивности L и актив-
ного сопротивления R. Пренебрегая собственной емкостью и сопротивлени-
ем обмотки катушки, получаем

Страницы