ВУЗ:
Составители:
111
ствии на ФЭП протонного излучения с энергией 19,6 МэВ, способного
создавать дефекты в базовой области, наблюдается изменение фототока
во всей спектральной области чувствительности.
Однако вначале снижается чувствительность в длинноволновой об-
ласти, за которую ответственна база ФЭП. На рис.3 приведено
спектральное распределение тока короткого замыкания кремниевых
ФЭП, облученных протонами с энергией Е=19,6 МэВ.
Рис.3. Спектральное распределение тока короткого замыкания крем-
ниевых ФЭП, облученных протонами с энергией Е=19,6 МэВ: 1 - до
облучения-: 2 –после облучения флюенсом Ф [портон.м
2
] : 10
14
; 3 -
10
15
; 4 - 10
16
; 5 - 10
17
Рис.4. Спектральное распределение тока короткого замыкания крем-
ниевых ФЭП, облученных протонами с энергией Е=0,2МэВ: 1-до облу-
чения; после облучения флюенсом Ф [протон
.
м
-2
]: 2 - 10
15
; 3 - 10
17
ствии на ФЭП протонного излучения с энергией 19,6 МэВ, способного
создавать дефекты в базовой области, наблюдается изменение фототока
во всей спектральной области чувствительности.
Однако вначале снижается чувствительность в длинноволновой об-
ласти, за которую ответственна база ФЭП. На рис.3 приведено
спектральное распределение тока короткого замыкания кремниевых
ФЭП, облученных протонами с энергией Е=19,6 МэВ.
Рис.3. Спектральное распределение тока короткого замыкания крем-
ниевых ФЭП, облученных протонами с энергией Е=19,6 МэВ: 1 - до
14
облучения-: 2 –после облучения флюенсом Ф [портон.м2] : 10 ; 3 -
15 16 17
10 ; 4 - 10 ; 5 - 10
Рис.4. Спектральное распределение тока короткого замыкания крем-
ниевых ФЭП, облученных протонами с энергией Е=0,2МэВ: 1-до облу-
15 17
чения; после облучения флюенсом Ф [протон.м-2]: 2 - 10 ; 3 - 10
111
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 109
- 110
- 111
- 112
- 113
- …
- следующая ›
- последняя »
