ВУЗ:
Составители:
112
На рис.4 показано спектральное распределение тока короткого
замыкания кремниевых ФЭП,облученных протонами с энергией Е=0,2
МэВ.
Рис. 5. Нагрузочные вольтамперные характеристики кремниевых
ФЭП, облученных протонами с различными энергиями Е [МэВ] (источ-
ник освещения - имитатор солнечного заатмосферного света): а-6,3; б-
0,2: 1 - до облучения; после облучения флюенсом Ф [протон
.
м
-2
]: 2 -
10
14
; 3 - 10
15
; 4 - 10
16
; 5 - 10
17
Чувствительность к коротковолновому свету определяется тонким
(1—2 мкм) поверхностным легированным слоем, она почти не меняется
при малых дозах облучения, так как скорость рекомбинации в этом слое
велика уже до облучения из-за большой концентрации дефектов.
На рис.4 показано спектральное распределение тока короткого
замыкания кремниевых ФЭП,облученных протонами с энергией Е=0,2
МэВ.
Рис. 5. Нагрузочные вольтамперные характеристики кремниевых
ФЭП, облученных протонами с различными энергиями Е [МэВ] (источ-
ник освещения - имитатор солнечного заатмосферного света): а-6,3; б-
0,2: 1 - до облучения; после облучения флюенсом Ф [протон.м-2]: 2 -
14 15 16 17
10 ; 3 - 10 ; 4 - 10 ; 5 - 10
Чувствительность к коротковолновому свету определяется тонким
(1—2 мкм) поверхностным легированным слоем, она почти не меняется
при малых дозах облучения, так как скорость рекомбинации в этом слое
велика уже до облучения из-за большой концентрации дефектов.
112
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 110
- 111
- 112
- 113
- 114
- …
- следующая ›
- последняя »
