Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 114 стр.

вый фотопреобразователь ударной волны, фронт которой формируется
в стеклянном покрытии при его пробое. При этом поверхность крем-
ниевого кристалла не повреждается, однако в объеме кремния форми-
руется область деформаций с высокой плотностью дислокаций. На рис.6
приведены следы электрического пробоя в защитном покровном стекле
фрагмента СБ при облучении электронами и кратера в кремниевой пла-
стине ФЭП, созданном при электрическом пробое покровного стекла [ 9
].




Рис.6. 1– Следы электрического пробоя в защитном покровном стекле
фрагмента СБ при электронном облучении; 2– образование кратера в
кремниевой пластине фотопреобразователя при воздействии электриче-
ского разряда [ 9 ]

   Ток разрядного импульса и его длительность на поверхности (S) ра-
диационно-заряженного диэлектрика пропорциональны S1/2. Разрядные
токи имеют значения до 10 А при ~1-5 мкс. В момент разряда на по-
верхности фрагмента СБ наблюдаются также световые вспышки. На
рис.7 показана фотография трех световых вспышек, сопровождающих
электростатические разряды.
   Электростатические разряды на поверхности радиационно-
заряженных стеклянных защитных покрытий СБ могут создавать усло-
вия для инициирования низковольтного дугового разряда между фраг-
ментами СБ, находящимися под напряжением 20-30кВ. В современной
космонавтике наблюдается устойчивая тенденция роста электрической
мощности космических СБ на базе полупроводниковых фотопреобразо-
вателей. Штатное напряжение электрической сети в современных КА
составляет, как правило -28 и 51 В. В связи с возможностью увеличения
мощности будущих КА в интервале 10-100 кВт, целесообразно увели-

                                114