Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 121 стр.

зарядов;
   - объемная зарядка диэлектрических материалов оборудования ИСЗ
электронами с энергией выше 1 МэВ, проникающими через стенки гер-
моотсека и создающими спонтанные разряды в облученных материалах.
   Время установления равновесного поверхностного электрического
потенциального рельефа например на геостационарном ИСЗ лежит в
интервале 10-3 - 1 с. Время накопления объемного заряда и соответст-
вующих высоких электрических полей (Е~1 МВ/см) в объеме диэлек-
трических материалов ИСЗ с учетом его облучения электронным излу-
чением с энергией выше 1-2 МэВ может составлять несколько дней и
более.
    Электромагнитные импульсы от облученных диэлектрических ма-
териалов и компонент часто фиксировались в космическом оборудова-
нии на многих ИСЗ, функционирующих в зоне радиационных поясов
Земли. Такие импульсы создавали, например, радиационные аномалии в
оборудовании ряда ИСЗ. Наиболее полно радиационные аномалии из-за
электризации диэлектрических материалов изучались на            ИСЗ
SCATHA, CRRES и др. На ИСЗ CRRES получена надежная временная
корреляция между генерацией электроразрядных импульсов в диэлек-
трических материалах и аномалиями в управлении ИСЗ. Данные, по-
лученные с помощью диэлектрического разрядного монитора, установ-
ленного на ИСЗ CRRES, были также полезны для понимания влияния
электронов с энергией выше 1 МэВ на вероятность возникновения
электрического пробоя.
   Радиационная зарядка диэлектрических материалов ИСЗ под дейст-
вием электронов создает условия для образования сильных электриче-
ских полей на поверхности и в объеме материалов и возникновения
спонтанных импульсных разрядов. Эти разряды создают широкий
спектр электромагнитных помех в электрических цепях и в электронном
оборудовании в интервале 10-1–103 МГц. Одновременно с генерацией
ЭМП в вакуум из разрядного канала диэлектрика выбрасывается на
большое расстояние сгусток плазмы и газа. При быстрой релаксации
высоких электрических полей при электрическом пробое твердых ра-
диационно-заряженных диэлектриков индуцируется световая вспышка
и возникают большие разрядные токи до 100 А. Эти процессы приводят
к дестабилизации электронного оборудования ИСЗ.
   Ряд сопутствующих действующих факторов за счет синергических
эффектов могут понизить электрическую прочность радиационно-
заряженных диэлектрических материалов, особенно на внешней по-
верхности ИСЗ. К таким факторам относятся: микрометеорные удары,
солнечная радиация, особенно в момент выхода ИСЗ из тени, повыше-
                                 121