Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 122 стр.

UptoLike

Составители: 

122
ние концентрации газа и плазмы в собственной атмосфере ИСЗ в мо-
мент срабатывания реактивных двигателей при коррекции орбиты.
Разряды, вызывающие ЭМП характеризуются переносимым заря-
дом и длительностью разрядного импульса. Наиболее эффективно гене-
рируют ЭМП разряды, при которых из диэлектрика в окружающее про-
странство выбрасывается плазмоид. При таком разряде ЭМП имеют
максимальный радиус действия. Наиболее полно изучены следующие
источники ЭМП: разряд из объема диэлектрика в окружающее про-
странство, скользящий разряд вдоль поверхности диэлектрика в высо-
ком вакууме, пробой твердого диэлектрика, электрический разряд в ва-
кууме. В некоторой точке поверхности диэлектрика скользящий разряд
может переходить в разряд, направленный в окружающую среду. При
разряде в окружающее пространство из радиационно-заряженного ди-
электрика высвобождается от 20% до 90% внедренного заряда.
В таблице 1 приведены данные о степени влияния электромагнитных
помех на элементы электроники [14].
Таблица 1. Влияние электромагнитных помех на элементы электро-
ники
Поглощенная
энергия, Дж
Возможные повреждения
10
-9
– 10
-8
Сбои в работе элементов ЭВМ
10
-7
Выгорание диодов в микроволновых
смесителях
10
-6
Сбои в работе или выгорание
линейных интегральных схем
10
-5
Сбои в работе и выгорание маломощных
транзисторов и интегральных схем на
биполярных транзисторах
10
-4
Повреждения конденсаторов, диодов,
транзисторов средней мощности
и логических элементов
10
-3
Повреждения стабилитронов, одно-
Операционных триодных тиристоров,
полевых транзисторов, мощных транзисторов
и тонкопленочных резисторов
Для систематизации и анализа радиационных аномалий ИСЗ на ор-
битах существуют специальные службы. Чрезвычайно важно, чтобы
ние концентрации газа и плазмы в собственной атмосфере ИСЗ в мо-
мент срабатывания реактивных двигателей при коррекции орбиты.
   Разряды, вызывающие ЭМП характеризуются переносимым заря-
дом и длительностью разрядного импульса. Наиболее эффективно гене-
рируют ЭМП разряды, при которых из диэлектрика в окружающее про-
странство выбрасывается плазмоид. При таком разряде ЭМП имеют
максимальный радиус действия. Наиболее полно изучены следующие
источники ЭМП: разряд из объема диэлектрика в окружающее про-
странство, скользящий разряд вдоль поверхности диэлектрика в высо-
ком вакууме, пробой твердого диэлектрика, электрический разряд в ва-
кууме. В некоторой точке поверхности диэлектрика скользящий разряд
может переходить в разряд, направленный в окружающую среду. При
разряде в окружающее пространство из радиационно-заряженного ди-
электрика высвобождается от 20% до 90% внедренного заряда.
   В таблице 1 приведены данные о степени влияния электромагнитных
помех на элементы электроники [14].

   Таблица 1. Влияние электромагнитных помех на элементы электро-
ники

    Поглощенная                 Возможные повреждения
    энергия, Дж
       10-9 – 10-8   Сбои в работе элементов ЭВМ
       10-7          Выгорание диодов в микроволновых
                     смесителях
       10-6          Сбои в работе или выгорание
                     линейных интегральных схем
       10-5          Сбои в работе и выгорание маломощных
                      транзисторов и интегральных схем на
                     биполярных транзисторах
       10-4          Повреждения конденсаторов, диодов,
                     транзисторов средней мощности
                     и логических элементов
       10-3          Повреждения стабилитронов, одно-
                     Операционных триодных тиристоров,
                     полевых транзисторов, мощных транзисторов
                     и тонкопленочных резисторов

   Для систематизации и анализа радиационных аномалий ИСЗ на ор-
битах существуют специальные службы. Чрезвычайно важно, чтобы

                                 122