ВУЗ:
Составители:
122
ние концентрации газа и плазмы в собственной атмосфере ИСЗ в мо-
мент срабатывания реактивных двигателей при коррекции орбиты.
Разряды, вызывающие ЭМП характеризуются переносимым заря-
дом и длительностью разрядного импульса. Наиболее эффективно гене-
рируют ЭМП разряды, при которых из диэлектрика в окружающее про-
странство выбрасывается плазмоид. При таком разряде ЭМП имеют
максимальный радиус действия. Наиболее полно изучены следующие
источники ЭМП: разряд из объема диэлектрика в окружающее про-
странство, скользящий разряд вдоль поверхности диэлектрика в высо-
ком вакууме, пробой твердого диэлектрика, электрический разряд в ва-
кууме. В некоторой точке поверхности диэлектрика скользящий разряд
может переходить в разряд, направленный в окружающую среду. При
разряде в окружающее пространство из радиационно-заряженного ди-
электрика высвобождается от 20% до 90% внедренного заряда.
В таблице 1 приведены данные о степени влияния электромагнитных
помех на элементы электроники [14].
Таблица 1. Влияние электромагнитных помех на элементы электро-
ники
Поглощенная
энергия, Дж
Возможные повреждения
10
-9
– 10
-8
Сбои в работе элементов ЭВМ
10
-7
Выгорание диодов в микроволновых
смесителях
10
-6
Сбои в работе или выгорание
линейных интегральных схем
10
-5
Сбои в работе и выгорание маломощных
транзисторов и интегральных схем на
биполярных транзисторах
10
-4
Повреждения конденсаторов, диодов,
транзисторов средней мощности
и логических элементов
10
-3
Повреждения стабилитронов, одно-
Операционных триодных тиристоров,
полевых транзисторов, мощных транзисторов
и тонкопленочных резисторов
Для систематизации и анализа радиационных аномалий ИСЗ на ор-
битах существуют специальные службы. Чрезвычайно важно, чтобы
ние концентрации газа и плазмы в собственной атмосфере ИСЗ в мо- мент срабатывания реактивных двигателей при коррекции орбиты. Разряды, вызывающие ЭМП характеризуются переносимым заря- дом и длительностью разрядного импульса. Наиболее эффективно гене- рируют ЭМП разряды, при которых из диэлектрика в окружающее про- странство выбрасывается плазмоид. При таком разряде ЭМП имеют максимальный радиус действия. Наиболее полно изучены следующие источники ЭМП: разряд из объема диэлектрика в окружающее про- странство, скользящий разряд вдоль поверхности диэлектрика в высо- ком вакууме, пробой твердого диэлектрика, электрический разряд в ва- кууме. В некоторой точке поверхности диэлектрика скользящий разряд может переходить в разряд, направленный в окружающую среду. При разряде в окружающее пространство из радиационно-заряженного ди- электрика высвобождается от 20% до 90% внедренного заряда. В таблице 1 приведены данные о степени влияния электромагнитных помех на элементы электроники [14]. Таблица 1. Влияние электромагнитных помех на элементы электро- ники Поглощенная Возможные повреждения энергия, Дж 10-9 – 10-8 Сбои в работе элементов ЭВМ 10-7 Выгорание диодов в микроволновых смесителях 10-6 Сбои в работе или выгорание линейных интегральных схем 10-5 Сбои в работе и выгорание маломощных транзисторов и интегральных схем на биполярных транзисторах 10-4 Повреждения конденсаторов, диодов, транзисторов средней мощности и логических элементов 10-3 Повреждения стабилитронов, одно- Операционных триодных тиристоров, полевых транзисторов, мощных транзисторов и тонкопленочных резисторов Для систематизации и анализа радиационных аномалий ИСЗ на ор- битах существуют специальные службы. Чрезвычайно важно, чтобы 122
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 120
- 121
- 122
- 123
- 124
- …
- следующая ›
- последняя »