Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 150 стр.

Рис.24. Зависимость интенсивности дуговых разрядов от отрицатель-
ного напряжения U на СБ: 1-лабораторный эксперимент; 2,3-полетные
данные [43]

   Выявлено различие в лабораторных и полетных данных, что, по-
видимому, характеризует несовершенство имитационных испытаний,
связанное с вторичными эмиссионными явлениями на стенках вакуум-
ной имитационной камеры. Пороговое напряжение разрядов в СБ со-
ставляет около - 200 В и зависит от плотности ионосферной плазмы
(рис.23), материала электрических контактов (Ag или Cu) и конструк-
ции СБ [43].




Рис.25. Зависимость порогового напряжения разряда U на СБ от плот-
ности ионосферной плазмы [43]

                                150