Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 38 стр.

102 – 104 раз по сравнению с космическими. Естественно, возникает во-
прос о максимальной плотности потока частиц, который возможно ис-
пользовать для этих целей без внесения заметных искажений. Из срав-
нения работы солнечных фотопреобразователей в условиях облучения
естественной космической радиацией и расчетных данных, в основе
которых лежат экспериментальные зависимости поведения солнечных
фотопреобразователей при облучении в лабораторных условиях, следу-
ет хорошее согласие расчета и эксперимента.
    Учитывая сложность процессов, происходящих при возникновении
стабильных центров рекомбинации, и разные условия облучения вслед-
ствие бомбардировки фотопреобразователей потоками различной ин-
тенсивности, был поставлен эксперимент для выяснения влияния раз-
личной плотности потока протонов с Ep=6,3 МэВ на рабочие характери-
стики фотопреобразователей, Для этой цели кремниевые фотопреобра-
зователи были облучены потоком протонов Фp=3,9·1012 прот/см2 при
средней плотности потока частиц j=8·1011 прот/см2··с и j=1,1·109
прот/см2·с. Каких-либо отличий в радиационном повреждении фотопре-
образователей при плотности потока частиц, отличающейся в 800 раз,
отмечено не было [5].
    Экспериментальная установка для комплексного исследования элек-
тризации фрагментов солнечных батарей (S=0,35 м2) состоит из вакуум-
ной камеры с P~10-5 Па, электронной пушки с энергией электронов 20-
50 кэВ, плотностью тока от 1 до 10 нА/см2, площадью пучка 0,35 м2 и
ксеноновой лампы высокого давления ДкСР-3000, имитирующую сол-
нечную радиацию в интервале λ~0,2-3 мкм [14].
    Исследовались разрядные процессы, возникающие в приповерхност-
ных слоях (1-20 мкм) защитных стеклянных покрытий фрагмента сол-
нечной батареи космического аппарата и полимерных пленочных мате-
риалов при одновременном воздействии электронных пучков и светово-
го потока от лампы ДкСР-3000.
    Одна из перспективных технологий по модификации кремниевых
монокристаллических пластин, предназначенных для изготовления по-
лупроводниковых фотопреобразователей, датчиков ИК-излучения и
других полупроводниковых приборов, основывается на создании в их
приповерхностной зоне тонкого дефектного слоя путем введения с по-
мощью бомбардировки протонами или ионами гелия и последующего
термоотжига. В модифицированном таким образом кремнии увеличива-
ется подвижность электронов в приповерхностной зоне, в дефектном
слое возрастает коэффициент поглощения в ИК-области и повышается
удельное сопротивление. В НИИЯФ МГУ совместно с НПО «Квант»
проводились исследования по разработке технологии изготовления мо-
                                  38