Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 45 стр.

трирована в районе Южно-Атлантической магнитной аномалии, где
РПЗ провисает на низкие высоты (250-300 км). Этот факт подтверждает,
что основная доля РОС для орбит связана с воздействием высокоэнер-
гичных протонов РПЗ.




Рис.18. Изображение областей, чувствительных к РОС микросхемы,
обнаруженных при облучении микросхемы ионами аргона с энергией
144 МэВ [23]


3. ОБЪЕМНЫЕ РАЗРЯДЫ В РАДИАЦИОННО-ЗАРЯЖЕННЫХ
ДИЭЛЕКТРИКАХ

   При облучении диэлектрических материалов заряженными частица-
ми может возникать их радиационное заряжение. Такое состояние ди-
электрика характеризуется аккумулированием в их объеме термализо-
ванного инжектированного заряда и как следствие образование высокой
напряженности электрического поля, Е. Если Е >Е пр, где (Епр - электри-
ческая прочность диэлектрика), возникает спонтанный электрический
пробой аккумулированного заряда на поверхность диэлектрика, что
имеет место в случае облучения диэлектрика критическим флюенсом
частиц, Фкр, который в свою очередь зависит от материала и условий
облучения [1-6]. На рис.1 показано электрическое дерево в объеме об-
лученного цилиндра из полиметилметакрилата (ПММА) после электри-
ческого пробоя внедренного заряда.


                                  45