ВУЗ:
Составители:
44
Ионные микрозонды (рис.17) позволяют с высокой разрешающей
способностью путем сканирования определять область микросхемы,
наиболее чувствительную к РОС (рис.18) [23]. Диаметр ионного зонда
составляет около 0,5 мкм. С целью снижения уровня сопутствующего
радиационного повреждения облучаемых элементов микросхем при
исследовании РОС, в процессе сканирования применяются пучки ионов
с низкой интенсивностью вплоть до одиночных частиц.
Рис.17. Блок-схема ионного микрозонда для изучения РОС микросхем:
1 – ионы Si
+5
; 2– микросхема; 3 – сигнал датчика вторичных электро-
нов; 4 – управление пучком; 5 – компьютер; 6 – сигнал РОС БИС; 7 –
компьютер для управления БИС [23]
Важную информацию о природе РОС микросхем можно иметь из
данных, получаемых путем анализа радиационных сбоев бортового
электронного оборудования различных ИСЗ. Для КА с низкой орбитой
(типа "Мир") максимальная интенсивность РОС микросхем сконцен-
Ионные микрозонды (рис.17) позволяют с высокой разрешающей
способностью путем сканирования определять область микросхемы,
наиболее чувствительную к РОС (рис.18) [23]. Диаметр ионного зонда
составляет около 0,5 мкм. С целью снижения уровня сопутствующего
радиационного повреждения облучаемых элементов микросхем при
исследовании РОС, в процессе сканирования применяются пучки ионов
с низкой интенсивностью вплоть до одиночных частиц.
Рис.17. Блок-схема ионного микрозонда для изучения РОС микросхем:
1 – ионы Si+5; 2– микросхема; 3 – сигнал датчика вторичных электро-
нов; 4 – управление пучком; 5 – компьютер; 6 – сигнал РОС БИС; 7 –
компьютер для управления БИС [23]
Важную информацию о природе РОС микросхем можно иметь из
данных, получаемых путем анализа радиационных сбоев бортового
электронного оборудования различных ИСЗ. Для КА с низкой орбитой
(типа "Мир") максимальная интенсивность РОС микросхем сконцен-
44
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- …
- следующая ›
- последняя »
