Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 42 стр.

вого минимального значения ЛПЭ, при котором наблюдается РОС.




  Рис.14. Схема стенда для измерения критического заряда и сечения
РОС БИС калифорния-252 и лазерного импульсного излучения.

   Для получения этих параметров при лабораторных испытаниях при-
меняются разнообразные методики с использованием ускорителей тя-
желых ионов, осколков деления радиоактивного изотопа (Cf252), им-
пульсных лазерных пучков, ионных микрозондов и импульсных элек-
тронных микропучков, получаемых на базе растрового электронного
микроскопа.
   Для определения сечения РОС микросхем в основном применяются
циклотроны, ускорители тяжелых ионов с энергиями 1-100 МэВ/нуклон
(ОИЯ, г. Дубна) с низкой интенсивностью ионных пучков в диапазоне
ЛПЭ 1-100 МэВ см2 мг-1. Эта методика оптимальная, основной ее недос-
таток - высокая стоимость исследований.
   Энергетический спектр осколков деления от радиоактивного изотопа
Cf252 имеет два пика, лежащих около 80 и 110 МэВ. Осколки деления
при средней ЛПЭ около 43 МэВ.см2 мг-1 находят применение для изуче-
ния РОС микросхем (рис.14,15) [19,20]. Пробег таких осколков в крем-
нии около 15 мкм, поэтому приходится испытывать микросхемы без
корпусов в вакууме. Недостаток этой методики состоит в том, что она
не позволяет определять пороговое значение ЛПЭ, ответственное за
РОС, и точное значение поперечного сечения РОС микросхем. Эта
методика полезна для сравнительной оценки чувствительности разных
типов микросхем.
                                 42