ВУЗ:
Составители:
54
лирована высокочастотной компонентой. Есть основание предполагать,
что источником такой модуляции является ступенчатый (прерывистый)
механизм при локальных разрядах в процессе прорастания древовидных
электроразрядных каналов в стекле при электрическом пробое. Средняя
длительность модуляционного сигнала лежит в интервале 5-15.10
-9
с.
Это соответствует данным, полученным в процессе электрического
пробоя твердых полимерных диэлектриков с внешними электродам, где
продолжительность микроразрядов при каждом локальном шаге пробоя
оценивается 10-100 нс.
Можно предположить, что ступенчатый механизм электрического
пробоя радиационно-заряженных диэлектриков является ответственным
за высокочастотную электромагнитную эмиссию (f>100 МГц) при гене-
рации импульса электромагнитных помех.
Рис.5 Микрофотография разрядного канала в стекле, облученном
электронами с энергией 4 МэВ, после электрического пробоя внедрен-
ного заряда. Хорошо виден прерывистый характер пробоя (увеличение в
100 раз).
На микрофотографиях разрядного канала (рис.5,6) после электриче-
ского пробоя радиационно-заряженного стекла ТК-114, полученных с
помощью оптического микроскопа (увеличение х100), хорошо видны
каналы, состоящие из цепочки последовательных локальных трубчатых
полостей размером в десятки микрон, нанизанных на трек разрядного
канала, что также не противоречит модели ступенчатого электрического
пробоя в твердом полимерном диэлектрике.
лирована высокочастотной компонентой. Есть основание предполагать,
что источником такой модуляции является ступенчатый (прерывистый)
механизм при локальных разрядах в процессе прорастания древовидных
электроразрядных каналов в стекле при электрическом пробое. Средняя
длительность модуляционного сигнала лежит в интервале 5-15.10-9 с.
Это соответствует данным, полученным в процессе электрического
пробоя твердых полимерных диэлектриков с внешними электродам, где
продолжительность микроразрядов при каждом локальном шаге пробоя
оценивается 10-100 нс.
Можно предположить, что ступенчатый механизм электрического
пробоя радиационно-заряженных диэлектриков является ответственным
за высокочастотную электромагнитную эмиссию (f>100 МГц) при гене-
рации импульса электромагнитных помех.
Рис.5 Микрофотография разрядного канала в стекле, облученном
электронами с энергией 4 МэВ, после электрического пробоя внедрен-
ного заряда. Хорошо виден прерывистый характер пробоя (увеличение в
100 раз).
На микрофотографиях разрядного канала (рис.5,6) после электриче-
ского пробоя радиационно-заряженного стекла ТК-114, полученных с
помощью оптического микроскопа (увеличение х100), хорошо видны
каналы, состоящие из цепочки последовательных локальных трубчатых
полостей размером в десятки микрон, нанизанных на трек разрядного
канала, что также не противоречит модели ступенчатого электрического
пробоя в твердом полимерном диэлектрике.
54
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 52
- 53
- 54
- 55
- 56
- …
- следующая ›
- последняя »
