Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 79 стр.

UptoLike

Составители: 

79
[3]. Условия облучения стекол электронами и протонами выбирались с
учетом возможности пребывания оптических элементов ИСЗ в радиа-
ционном поясе Земли более 10 лет.
Наиболее распространенный метод испытания оптических стекол на
радиационную стойкость состоит в измерении спектральных характери-
стик поглощения или пропускания стекол до и после облучения. Наве-
денные спектры поглощения стекол можно представить как наложение
многочисленных полос поглощения света. Каждую полосу поглощения
можно отнести к определенному радиационному центру окраски. По-
скольку стекла имеют очень сложную структуру, то не всегда удается
обосновать систему дефектов, ответственных за образование тех или
иных радиационных центров окраски.
В процессе воздействия ионизирующих излучений ловушки, имею-
щиеся в материале и ответственные за образование центров окраски,
заполняются электронами и дырками, что приводит к росту оптической
плотности (рис.1).
Рис.1. Изменение оптической плотности стекла К-8 от времени об-
лучения протонами с энергией 6,3 МэВ при плотности потока 2.10
10
см
-2
с для различных длин волн: 1 - 0,45 мкм; 2 – 0,5 мкм; 3 – 0,6 мкм
В зависимости от типа оптического стекла эти ловушки заполняются
при дозах 10
3
–10
6
Гр. Следующая стадия процесса состоит в медленном
росте концентрации центров окраски на вновь образуемых под действи-
[3]. Условия облучения стекол электронами и протонами выбирались с
учетом возможности пребывания оптических элементов ИСЗ в радиа-
ционном поясе Земли более 10 лет.
    Наиболее распространенный метод испытания оптических стекол на
радиационную стойкость состоит в измерении спектральных характери-
стик поглощения или пропускания стекол до и после облучения. Наве-
денные спектры поглощения стекол можно представить как наложение
многочисленных полос поглощения света. Каждую полосу поглощения
можно отнести к определенному радиационному центру окраски. По-
скольку стекла имеют очень сложную структуру, то не всегда удается
обосновать систему дефектов, ответственных за образование тех или
иных радиационных центров окраски.
    В процессе воздействия ионизирующих излучений ловушки, имею-
щиеся в материале и ответственные за образование центров окраски,
заполняются электронами и дырками, что приводит к росту оптической
плотности (рис.1).




   Рис.1. Изменение оптической плотности стекла К-8 от времени об-
   лучения протонами с энергией 6,3 МэВ при плотности потока 2.10 10
   см-2с для различных длин волн: 1 - 0,45 мкм; 2 – 0,5 мкм; 3 – 0,6 мкм

   В зависимости от типа оптического стекла эти ловушки заполняются
при дозах 103–106 Гр. Следующая стадия процесса состоит в медленном
росте концентрации центров окраски на вновь образуемых под действи-
                                  79