Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 97 стр.

UptoLike

Составители: 

97
Взаимодействие плазмоида с металлом носит взрывной характер
(рис.6).
Рис.6. Следы взаимодействия плазмоида со слоем золота [9]
При воздействии импульсного сильноточного пучка электронов со
средней энергией 280 кэВ на широко щелевые диэлектрики, например
ПММА или BaF
2
, обнаружена сильная импульсная низкоэнергетическая
вторичная эмиссия из разрядного канала диэлектрика [10]. Такая эмис-
сия инициируется из плазмы разрядного канала диэлектрика, который
предварительно формируется в его объеме. Однако природа интенсив-
ной вторичной эмиссии пока до конца не ясна, возможно, она связана с
механизмом взрывной эмиссии.
При функционировании ИСЗ в радиационном поясе Земли электри-
ческие пробои и эмиссионные процессы в диэлектрических материалах,
облученных электронами с энергией выше 2 МэВ при флюенсе выше
10
11
см
-2
, могут быть одной из причин возникновения радиационных
аномалий [6,10,11]. Эффективность таких процессов возрастает для сис-
тем бортовой криоэлектроники, поскольку эффективность удержания
внедренного заряда в диэлектрике при криогенной температуре выше,
чем при комнатной. Характер эмиссионных явлений в лабораторных
условиях и в космосе на внешней поверхности ИСЗ может быть различ-
ным.
   Взаимодействие плазмоида с металлом носит взрывной характер
(рис.6).




     Рис.6. Следы взаимодействия плазмоида со слоем золота [9]

   При воздействии импульсного сильноточного пучка электронов со
средней энергией 280 кэВ на широко щелевые диэлектрики, например
ПММА или BaF2, обнаружена сильная импульсная низкоэнергетическая
вторичная эмиссия из разрядного канала диэлектрика [10]. Такая эмис-
сия инициируется из плазмы разрядного канала диэлектрика, который
предварительно формируется в его объеме. Однако природа интенсив-
ной вторичной эмиссии пока до конца не ясна, возможно, она связана с
механизмом взрывной эмиссии.
   При функционировании ИСЗ в радиационном поясе Земли электри-
ческие пробои и эмиссионные процессы в диэлектрических материалах,
облученных электронами с энергией выше 2 МэВ при флюенсе выше
1011 см-2, могут быть одной из причин возникновения радиационных
аномалий [6,10,11]. Эффективность таких процессов возрастает для сис-
тем бортовой криоэлектроники, поскольку эффективность удержания
внедренного заряда в диэлектрике при криогенной температуре выше,
чем при комнатной. Характер эмиссионных явлений в лабораторных
условиях и в космосе на внешней поверхности ИСЗ может быть различ-
ным.
                                 97