Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 98 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГУ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

98
Механизм радиационной электризации на поверхности ИСЗ
Внешние диэлектрические поверхности космических аппаратов под-
вергаются воздействию потоков заряженных частиц. На рис.7 приведена
схема воздействия корпускулярного и фотонного излучений на поверх-
ность ИСЗ.
Электроны с энергией до 100 кэВ создают на поверхности диэлек-
триков аккумулированный электрический заряд. Время зарядки ИСЗ в
момент магнитной бури во внешнем радиационном поясе Земли состав-
ляет доли секунды. Аккумулированный диэлектриком электронный за-
ряд создает высокую напряженность электрического поля, что вызывает
поверхностный электрический разряд, который сопровождается генера-
цией импульсов ЭМП. Электромагнитные помехи вызывают сбои в
электронных системах ИСЗ. Энергия, заключенная в импульсе ЭМП, на
несколько порядков ниже, чем запасенная энергия электрического поля
от аккумулированного заряда в диэлектрике.
Рис.7. Схема воздействия корпускулярного и фотонного излучений
на поверхность ИСЗ
Потенциал поверхности ИСЗ по отношению к окружающей плазме
определяется балансом токов, текущих через поверхность, что можно
представить в следующем виде:
I=I
e
-(I
p
-I
e
+I
bse
+I
sp
+I
ф
),
    Механизм радиационной электризации на поверхности ИСЗ
    Внешние диэлектрические поверхности космических аппаратов под-
вергаются воздействию потоков заряженных частиц. На рис.7 приведена
схема воздействия корпускулярного и фотонного излучений на поверх-
ность ИСЗ.
    Электроны с энергией до 100 кэВ создают на поверхности диэлек-
триков аккумулированный электрический заряд. Время зарядки ИСЗ в
момент магнитной бури во внешнем радиационном поясе Земли состав-
ляет доли секунды. Аккумулированный диэлектриком электронный за-
ряд создает высокую напряженность электрического поля, что вызывает
поверхностный электрический разряд, который сопровождается генера-
цией импульсов ЭМП. Электромагнитные помехи вызывают сбои в
электронных системах ИСЗ. Энергия, заключенная в импульсе ЭМП, на
несколько порядков ниже, чем запасенная энергия электрического поля
от аккумулированного заряда в диэлектрике.




   Рис.7. Схема воздействия корпускулярного и фотонного излучений
на поверхность ИСЗ

   Потенциал поверхности ИСЗ по отношению к окружающей плазме
определяется балансом токов, текущих через поверхность, что можно
представить в следующем виде:
                        I=Ie-(Ip-Ie+Ibse+Isp+Iф),


                                98

Страницы