Проектирование СВЧ-устройств с помощью пакета программ Serenade 8.0. Алгазинов Э.К - 12 стр.

                                             12
в ы раж ениях. В ы раж ение д ля в о лно в о г о со про тив ления микро по ло ско в о й
линии имеетв ид :
       η              8h         W
       2π ε     ⋅ ln     + 0, 25   д ля( W h ≤ 1),
                     W           h
 Z0 =        rэ
                                                        −1           ,
       η ⋅  W + 1,393 + 0,667 ⋅ ln W + 1,444  д ля(W h ≥ 1)
       ε rэ  h                        h        
                                                      
      г д е η = 120π - в о лно в о есо про тив лениесв о бо д но г о про странств а.
      Э ф ф ектив ная д иэлектрическая про ницаемо сть д ля микро по ло ско в о й
линии о пред еляетсяпо ф о рму ле:
                                         −1 2
             εr +1 εr −1             h
      ε rэ =       +         1 + 10  ,г д е ε r - о тно сительная д иэлектриче-
                2        2          W
ская по сто янная по д ло ж ки. Э ф ф ектив ная д иэлектрическая по сто янная
ε rэ меньш е д иэлектрическо й по сто янно й по д ло ж киε r , так как о на у читы -
в ает по ле в не по д ло ж ки. В ы ш еприв ед енны е со о тно ш ения не у читы в аю т
то лщ ину про в о д ника, д лину по ло ско в о й линии, а такж енеко то ры ед ру г ие




          Рис.5. И нтерф ей спро г раммы расчета параметро в линий перед ач