Проектирование СВЧ-устройств с помощью пакета программ Serenade 8.0. Алгазинов Э.К - 13 стр.

UptoLike

13
конструктивные параметры , что приводит к наличию погрешности. Для
более точного расчета используем утилиту Transmission Lines из пакета
Serenade. Для этого, войдя в меню Tools, выберем пункт Transmission
Lines. При этом вызывается программа trl80.exe, интерфейс которой изо -
бражен на рис.5. Произведем расчет простейшей микрополосковой линии
( рис.4б), которая представляет собой слой металла, нанесенный на пла-
стину диэлектрика. Войдя в меню Structure (тип структуры ), остановимся
на подменю Microstrip (микрополосковые линии). Выберем пункт меню
Single, при этом откроется новое окно для расчета параметров микропо -
лосковой линии. Картинка в верхней части окна схематично изображает
заданный тип линии передачи, а также обозначение некоторых конструк-
тивных параметров. Для микрополосковых линий программа позволяет
задать следующие параметры :
Пара-
метр
Значение
по
Умолча-
нию
Единица
Измере-
ния
Описание
W - м* Ширина проводника
P 0 м Физическая длина линии передачи
Z0 - Ом Импеданс линии передачи
E 0 градусы Электрическая длина линии передачи
F 0 Гц* Частота
ER - - Относительная диэлектрическая проницае-
мость
H - м Толщина подложки
HU 40·H м Расстояние от подложки до экрана (значение
по умолчанию сводит влияние экрана к ну -
лю )
TAND 0 - Тангенс диэлектрических потерь
RGH 0 м Размер шероховатостей поверхности
MSAT 0 Гаусс Магнитное поле насыщения
MREM 0 Гаусс Остаточный магнетизм
TANM 0 - Тангенс магнитных потерь
*Система единицы измерения, используемая в программе, показана в правом верхнем углу окна
расчета линии передач (пенель Units). Единицы измерения расстояния и частоты могут быть изменены .
Все вводимые значения должны соответствовать указанной системе единиц .
Программа позволяет производить как синтез , так и анализ линии пе-
редач. Для синтеза необходимо задать величины Z0, H и ER. Другие вели -
чины , если они не заданы , принимают значения по умолчанию . Под синте-
зом имеется в виду расчет ширины проводника (полоски металлизации)
при прочих заданных условиях .
Под анализом здесь и далее подразумевается расчет волнового сопро -
тивления Z0. В этом случае необходимо явно задать параметры W, H и ER.
                                         13
ко нстру ктив ны е параметры , что прив о д ит к наличию по г реш но сти. Д ля
бо лее то чно г о расчета испо льзу ем у тилиту Transmission Lines из пакета
Serenade. Д ля это г о , в о й д я в меню Tools, в ы берем пу нкт Transmission
Lines. При это м в ы зы в ается про г рамма trl80.exe, интерф ей с ко то ро й изо -
браж енна рис.5. Про изв ед ем расчет про стей ш ей микро по ло ско в о й линии
(рис.4б), ко то рая пред став ляет со бо й сло й металла, нанесенны й на пла-
стину д иэлектрика. В о й д я в меню Structure (тип стру кту ры ), о стано в имся
на по д меню Microstrip (микро по ло ско в ы е линии). В ы берем пу нкт меню
Single, при это м о ткро ется но в о е о кно д ля расчета параметро в микро по -
ло ско в о й линии. К артинка в в ерхней части о кна схематично изо браж ает
зад анны й тип линии перед ачи, а такж е о бо значение неко то ры х ко нстру к-
тив ны х параметро в . Д ля микро по ло ско в ы х линий про г рамма по зв о ляет
зад атьслед у ю щ иепараметры :
  Пара-       Значение Е д иница                            О писание
  метр           по        И змере-
              У мо лча-        ния
                нию
    W             -             м*     Ш ирина про в о д ника
    P             0              м     Ф изическаяд лина линии перед ачи
    Z0            -             О м    И мпед анслинии перед ачи
    E             0        г рад у сы  Э лектрическаяд лина линии перед ачи
    F             0            Гц*     Часто та
   ER             -               -    О тно сительная д иэлектрическая про ницае-
                                       мо сть
    H             -              м     Т о лщ ина по д ло ж ки
   HU           40·H             м     Рассто яниео тпо д ло ж ки д о экрана (значение
                                       по у мо лчанию св о д ит в лияние экрана к ну -
                                       лю )
 TAND             0               -    Т ангенсд иэлектрических по терь
  RGH             0              м     Размер ш еро хо в ато стей по в ерхно сти
 MSAT             0           Гау сс М аг нитно епо ленасы щ ения
 MREM             0           Гау сс О стато чны й маг нетизм
 TANM             0               -    Т ангенсмаг нитны х по терь
        *Система ед иницы измерения, испо льзу емая в про г рамме, по казана в прав о м в ерхнем у г лу о кна
расчета линии перед ач (пенель Units). Е д иницы измерения рассто яния и часто ты мо г у т бы ть изменены .
В сев в о д имы езначенияд о лж ны со о тв етств о в атьу казанно й системеед иниц.


     Про г рамма по зв о ляетпро изв о д ить как синтез, так и анализ линии пе-
ред ач. Д лясинтеза нео бхо д имо зад атьв еличины Z0, H и ER. Д ру г иев ели-
чины , если о ни незад аны , принимаю тзначенияпо у мо лчанию . По д синте-
зо м имеется в в ид у расчет ш ирины про в о д ника (по ло ски металлизации)
при про чих зад анны х у сло в иях.
     По д анализо м зд есьи д алеепо д разу мев аетсярасчетв о лно в о г о со про -
тив ленияZ0. В это м слу чаенео бхо д имо яв но зад атьпараметры W, H и ER.