Составители:
выходов, который выделяет требуемое слово в селекторе, передаваемое через
буфер ввода-вывода на выход микросхемы [3].
6. 4. Перепрограммируемые постоянные запоминающие устрой-
ства (ППЗУ)
ППЗУ могут хранить записанную в них информацию неопределенно дол-
го при отключенном питании, а также допускают стирание записанной инфор-
мации и запись новой. При этом необходимо учитывать, что, если чтение из
памяти происходит за доли микросекунды, то запись потребует времени на не-
сколько порядков больше.
На рис 6.6,
а показан элемент памяти с электрической записью информа-
ции и стиранием ультрафиолетовым светом [3].
Транзистор
VT1 производит выборку элемента памяти. Для хранения ин-
формации используется транзистор
VT2, структура которого показана на рис.
6.6,
б. Особенность структуры этого транзистора – изолированный затвор. При
подаче достаточно большого напряжения к
p – n – переходу истока либо стока
происходит
инжекция электронов в затвор, после чего этот заряд может удер-
живаться на затворе длительное время.
Отрицательный заряд на затворе притягивает дырки и создает в
n – об-
ласти проводящий
p – канал между истоком и стоком. Состояние транзистора
соответствует
логическому нулю.
Если к
p – n – переходу не прикладывать повышенного напряжения, за-
ряда на затворе не будет, и транзистор окажется в непроводящем состоянии,
что соответствует
логической единице.
Процедура
стирания информации зависит от типа микросхемы. Сущест-
вуют микросхемы с
электрическим и ультрафиолетовым стиранием информа-
ции. Под действием напряжения специальной формы или ультрафиолетового
излучения, действующего в течение нескольких минут, снимается заряд с за-
74
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 72
- 73
- 74
- 75
- 76
- …
- следующая ›
- последняя »
