Составители:
На рис. 6.4 представлена схема наращивания числа ячеек и их разрядно-
сти. Блок памяти состоит из микросхем, образующих отдельные
линейки (ря-
ды),
каждая из которых строится по схеме наращивания разрядности. Разряды
адреса блока памяти делятся на две группы
А
1
и А
2
. Группа разрядов А
2
опре-
деляет номер линейки,
группа разрядов А
1
– номер ячейки в выбранной линей-
ке.
Выбор линейки производится с помощью дешифратора, на вход которого
подается
А
2
, а каждый из выходов подключен к входу В
К
определенной ли-
нейки.
В зависимости от кодовой комбинации, содержащейся в
А
2
, на соответст-
вующем выходе дешифратора появляется уровень
лог.0, который обеспечивает
выбор определенной линейки микросхем. На входы
В
К
остальных линеек с
выходов дешифратора поступает уровень
лог.1, и микросхемы этих линеек ус-
танавливаются в режим хранения. Они не реагируют на адресную группу
А
1
.
Для примера предположим, что необходимо наращивать емкость блока
памяти на микросхемах с организацией 1
1024
×
таким образом, чтобы полу-
чить организацию 8, т. е. блок памяти на 4096 8-разрядных ячеек.
4096 ×
Наращивание разрядности потребует в каждой линейке схемы на рис. 6. 4
использовать 8 микросхем: для увеличения числа ячеек в четыре раза необхо-
димо предусмотреть четыре линейки микросхем, и общее число требуемых
микросхем .
3248 =⋅
Формирование адреса в таком блоке памяти, по которому будет произво-
диться обращение, происходит следующим образом. Для выбора линейки в ад-
ресе потребуется двухразрядная группа
А
2
, каждой из четырех кодовых ком-
бинаций этой группы (00, 01, 10, 11) будет соответствовать определенная ли-
нейка в блоке памяти. Выбор ячейки в линейке микросхем предполагает нали-
чие в адресе 10-разрядной группы
А
1
(число комбинаций 10-разрядной группы
2
10
= 1024 равно числу ЭП в микросхеме).Адрес рассматриваемого блока памя-
ти должен иметь 12 разрядов.
В каждом столбце матрицы микросхем на рис. 6.4 выходы всех микро-
схем объединяются в цепь соответствующего разряда
выхода данных блока, все
входы
данных – в цепь соответствующего разряда входа данных блока памяти.
6.3. Постоянные запоминающие устройства
Главное отличие ПЗУ от ОЗУ заключается в том, что информация в ячей-
ки памяти записывается однократно, а в процессе эксплуатации используется
только
режим чтения.
По способу занесения информации ПЗУ делятся на два вида: ПЗУ,
про-
граммируемые маской
на заводе – изготовителе, и ПЗУ, программируемые
пользователем.
72
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 70
- 71
- 72
- 73
- 74
- …
- следующая ›
- последняя »
