Электроника. Ч.1: Письменные лекции. Антонов О.Г - 11 стр.

UptoLike

11
1.4. Вопросы для самоконтроля
1. Чем отличаются полупроводники от проводников и диэлектриков?
2. Что такое собственный и примесный полупроводники?
3. Каковы отличия полупроводников п- и р-типов электропроводности?
4. Какова концентрация носителей заряда в примесном полупроводнике?
5. Что такое равновесные и неравновесные носители заряда в полупро-
воднике?
6. Каким параметром характеризуют рекомбинацию неравновесных носи-
телей заряда?
7. Что такое р-n-переход?
8. Какова зависимость тока, проходящего через р-n-переход, от напряже-
ния?
2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
2.1. Общие сведения
Устройство диода. Полупроводниковым диодом называется двухэлек-
тродный прибор, основу которого составляет р-п-структура, состоящая из об-
ластей р-типа и n-типа, разделенных
электронно-дырочным переходом.
Одна из областей р-n-структуры, на-
зываемая эмиттером, имеет боль-
шую концентрацию основных носи-
телей заряда , чем другая область, на-
зываемая базой.
База и эмиттер с помощью
электродов Э, образующих омические
переходы, соединяются с металличе-
скими выводами В, посредством ко-
торых диод включается в электриче-
скую цепь.
Основным структурным элементом полупроводникового диода, опреде-
ляющим его функциональные свойства, является р-п-переход тонкий про-
межуточный слой между р-n-областями, свойства которого были рассмотрены
ранее.
Прогрессивной разновидностью полупроводниковых диодов являются-
планарно-эпитаксиальные диоды (рис.2.1). В этих приборах базу изготовляют
путем наращивания на подложке 4 из низкоомного кремния тонкого слоя 3 вы-
сокоомного полупроводника, повторяющего структуру подложки. Этот слой,
называемый эпитаксиальным, покрывают плотной защитной пленкой 2 двуоки-
си кремния Si0
2
толщиной до 1 мкм. В пленке протравливают окно, через кото-
рое путем диффузии бора или алюминия создается p-n-переход 1, выход кото-
рого на поверхность оказывается сразу же надежно защищенным пленкой окис-
Рис. 2.1