Составители:
Рубрика:
12
окисла.
Статические вольтамперные характеристики диода. Статическая
вольтамперная характеристика полупроводникового диода показана на рис. 2.2.
Здесь же пунктиром нанесена теоретическая вольтамперная характеристика
электронно-дырочного перехода. Для наглядности обратная ветвь характери-
стики изображена в более крупном
масштабе по току и в более мел-
ком — по напряжению по сравне-
нию с прямой ветвью.
В области малых токов ре-
альная и теоретическая характери-
стики совпадают. Но при больших
прямых токах, а также при высо-
ких обратных напряжениях харак-
теристики расходятся, что являет-
ся следствием ряда причин, не уч-
тенных при теоретическом анали-
зе процессов в электронно-
дырочном переходе.
В области больших прямых
токов вследствие значительного
падения напряжения на распределенном
сопротивлении базы диода и сопротивле-
нии электродов напряжение на электронно-
дырочном переходе будет меньше напря-
жения U, приложенного к диоду, в резуль-
тате чего реальная характеристика оказыва-
ется расположенной ниже теоретической и
почти линейной. Уравнение вольтамперной
характеристики в этой области можно за-
писать в виде I=I
0
expχ(U-r
б
I),где r
б
— элек-
трическое сопротивление базы, электродов
и выводов диода; χ = 1/ϕ
к
.
При повышении обратного напряже-
ния обратный ток диода не остается посто-
янным, равным току экстракции I
о
, а мед-
ленно увеличивается. Одной из причин
роста обратного тока диода является термическая генерация носителей заряда в
переходе, не учтенная ранее. Составляющую обратного тока через переход, за-
Рис. 2.3
Рис. 2.2
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »
