Электроника. Ч.1: Письменные лекции. Антонов О.Г - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

25
тельно невелико. Эти качества туннельного диода обусловили его применение в
радиоэлектронике. Однако существенным недостатком устройств на туннель-
ных диодах является сильная электрическая связь между выходом и входом,
что затрудняет во многих случаях использование туннельных диодов.
Обращенные диоды
. У диодов, имеющих концентрацию примеси в ме-
нее легированной области порядка 10
18
см
-3
в характеристике почти исчезает
падающий участок, и она
приобретает вид, показан-
ный на рис. 2.15. При этом
уровень Ферми находится
у края валентной зоны и
туннельный ток может
проходить только при об-
ратных напряжениях. Про-
водящему направлению у
этих диодов соответствует
обратная ветвь вольт-
амперной характеристики,
а запирающему — прямая.
Обращенные диоды
из арсенида галлия характеризуются
следующими значениями параметров:
максимальный ток в проводящем направлении I
max
=З мА при напряжении
U
1
<0,15 В, ток в запирающем направлении I
min
=0,05…0,15 мА при напряжении
U
2
<0,9 В. Поскольку ток в этих приборах создается основными носителями за-
ряда, обращенные диоды могут работать на более высоких частотах, чем обыч-
ные полупроводниковые диоды. «Горизонтальный»участок характеристики на
прямой ветви может быть использован для стабилизации тока в цепи.
2.4.7. Металлополупроводниковые диоды
Общие сведения. Все рассмотренные ранее полупроводниковые диоды
имеют в качестве основного структурного элемента, определяющего их свойст-
ва и возможности, электронно-дырочный переход. Так, несимметричность
вольтамперной характеристики электронно-дырочного перехода используют в
выпрямительных, высокочастотных и импульсных диодах, барьерную емкость
перехода — в варикапах и варакторах, явление пробоя перехода — в стабили-
тронах и т. д. Однако, ряд подобных эффектов, например, несимметрия вольт-
амперной характеристики и наличие барьерной емкости, присущ также перехо-
дам «металл — полупроводник», выполненным с учетом определенных требо-
ваний. В то же время такие металлополупроводниковые переходы обладают
полезными отличительными свойствами. По этой причине в последние годы
ведется разработка диодов, у которых основным структурным элементом, оп-
ределяющим функциональные свойства прибора, является т-р- или m-n-
Рис. 2.15

Страницы