Составители:
Рубрика:
26
переход (буквой т обозначен металл, буквами р и п— соответственно полупро-
водник р-типа и n-типа).
При изучении явлений в электронно-дырочных переходах приходилось
сталкиваться с переходами т-р- и т-п-типов, обладающими электрическим со-
противлением, величина которого не зависит от направления тока (омические
переходы). Для получения подобных переходов металл, наносимый в качестве
электрода на поверхность электронного полупроводника, должен иметь работу
выхода, меньшую работы выхода полупроводника (еφ
m
<еφ
n
); для электрода,
наносимого на поверхность дырочного полупроводника, требуется металл с
большей работой выхода (eφ
m
>eφ
p
).
В этом случае в полупроводнике на границе с металлом образуется обо-
гащенный основными носителями заряда слой, обеспечивающий высокую про-
водимость перехода независимо от направления тока.
Если же взять для электрода металл с противоположным соотношением
работ выхода (еφ
т
>еφ
n
или еφ
т
<еφ
р
), то на границе с электродом образуется
обедненный основными носителями заряда слой полупроводника, обладающий
несимметричной характеристикой, как у электронно-дырочного перехода. По-
добные металлополупроводниковые переходы называют выпрямляющими.
Типы металлополупроводниковых диодов. В последние годы была ос-
воена технология получения переходов «металл — полупроводник» со ста-
бильными свойствами, что привело к появлению различных типов металлопо-
лупроводниковых диодов (диодов Шоттки), обладающих рядом преимуществ.
В качестве полупроводника в них обычно используется кремний, в качестве ме-
талла — молибден, алюминий, наносимые методом вакуумного испарения.
Высокочастотные и импульсные диоды Шоттки имеют площадь перехода
менее 20—30 мкм
2
емкость — не более 1 пФ, очень малое распределенное со-
противление базы r
б
. Отсутствие инжекции неосновных носителей заряда и свя-
занного с ними накопления неравновесного заряда в базе существенно повыша-
ет быстродействие импульсных металлополупроводниковых диодов. Поэтому
время переключения у них составляет доли наносекунды, а предельная частота
— десятки гигагерц.
Мощные металлополупроводниковые диоды имеют большую площадь
перехода, токи у них достигают десятков ампер, обратные напряжения - 500 В.
Благодаря меньшему прямому напряжению (0,3В вместо 0,7 В у диодов р-п-
типа) мощные металлополупроводниковые диоды обеспечивают более высо-
кий к. п. д., особенно у низковольтных выпрямителей.
2.5. Вопросы для самоконтроля
1. Как устроен полупроводниковый диод?
2. Как выглядит статическая вольтамперная характеристика диода?
3. Как влияет температура на вольт-амперные характеристики германие-
вого и кремниевого диодов?
4. Каковы разновидности типов полупроводниковых диодов?
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »
